[发明专利]一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池

权利要求书

1.一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。

2.如权利要求1所述的一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于所述P型Si衬底的厚度为100~600μm，掺杂浓度为1×10¹⁵～5×10¹⁷cm^-3。

3.如权利要求1所述的一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于所述Si底电池的发射区厚度为0.05～1μm，掺杂浓度为1×10¹⁸~5×10¹⁹cm^-3。

4.如权利要求1所述的一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于所述InGaP顶电池自下而上包括：背电场层、InGaP基区、InGaP发射区以及窗口层。

5.如权利要求1或4所述的一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于所述InGaP顶电池的禁带宽度大于1.85eV。

6.如权利要求1所述的一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于所述GaAs中间电池自下而上包括：背电场层、GaAs基区、GaAs发射区以及窗口层。

7.如权利要求1所述的一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，其特征在于连接InGaP顶电池和GaAs中间电池的隧穿结，采用GaAs、InGaP、Al_0.3Ga_0.7As或其他半导体材料，掺杂浓度高达1×10¹⁹~5×10²⁰cm^-3以上。