[发明专利]发光二极管元件的制造方法与发光二极管晶圆

权利要求书

1.一种发光二极管元件的制造方法，其特征在于上述制造方法包括步骤：

在一外延成长基板上形成一外延结构，该外延结构具有多个高台状发光二极管；

以一散热基板取代该外延成长基板；

测量各所述高台状发光二极管的发光波长以产生一波长测量数据；

设置一注胶板于该外延结构上，该注胶板有多个注胶孔，以分别曝露所述多个高台状发光二极管；以及

经由所述多个注胶孔涂布荧光胶于所述多个高台状发光二极管上，以在该散热基板上形成多个发光元件。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于，在经由所述多个注胶孔涂布荧光胶于各所述高台状发光二极管以形成多个发光元件的步骤还包括：

根据该波长测量数据，调整荧光胶中的荧光粉浓度或组成比例以使各所述发光元件的发光波长位于特定范围中。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于，上述制造方法还包括步骤：

在涂布荧光胶于各所述高台状发光二极管后，通过切割程序，使得该散热基板上的所述多个发光元件形成分离的发光元件。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于，在以该散热基板取代该外延成长基板的步骤包括：

将该外延结构贴附至一暂时基板；

去除该外延成长基板；

将该外延结构未贴附该暂时基板的一面贴附至一散热基板，且该散热基板的热导率大于该外延成长基板的热导率；以及

去除该暂时基板。

5.如权利要求1~4任一所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于该外延成长基板为蓝宝石基板，而该散热基板为硅基板或金属基板。

6.如权利要求5所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于各所述注胶孔的孔壁分别位于所对应的各所述高台状发光二极管的周围以防止溢胶。

7.一种发光二极管晶圆，其特征在于上述发光二极管晶圆包括：

一散热基板；以及

一外延结构，设置在该散热基板上，该外延结构具有多个高台状发光二极管；

其中，各所述高台状发光二极管上分别涂布有荧光胶以在该散热基板上形成多个发光元件，且各所述发光元件的发光波长位于一特定范围中。

8.如权利要求7所述的发光二极管晶圆，其特征在于该散热基板为硅基板或金属基板。