[发明专利]发光二极管元件

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包含：

一基板，包含多个沟槽，该些沟槽间隔地排列于该基板的一表面；

一缓冲层，迭设于具有该些沟槽的该基板表面，其中该些沟槽位于该基板与该缓冲层之间；

多个纳米球，容置于该些沟槽中，其中每一该些沟槽内具有多个该些纳米球；以及

一发光结构，迭设于该缓冲层。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该发光结构包含：

一第一半导体层，形成于该缓冲层上；

一发光层，形成于部分该第一半导体层的一面上，使得该第一半导体层的该面上其他未被该发光层所占据的部分被裸露出来；以及

一第二半导体层，形成于该发光层上。

3.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该第一半导体层的该面形成有该发光层的该部分具一隆起部，该隆起部较该第一半导体层的该面上其他未被该发光层所占据的该部分突起。

4.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中更包括：

一第一电极层，形成于未被该发光层所占据的该第一半导体层上；以及

一第二电极层，形成于该第二半导体层上。

5.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该第一半导体层为一N型含镓的氮化物半导体层，而该第二半导体层为一P型含镓的氮化物半导体层；或者该第一半导体层为一P型含镓的氮化物半导体层，而该第二半导体层为一N型含镓的氮化物半导体层。

6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该些沟槽周期性地或非周期性地排列于该基板上。

7.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中每一该些沟槽的宽度约为1微米（μm）。

8.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中任意两相邻的该些沟槽彼此间的间距为1微米（μm）~3微米（μm）。

9.如权利要求1~8任一项所述的发光二极管元件，其中该些纳米球的光折射率大于1。

10.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该些纳米球由介电材质所构成。

11.如权利要求10所述的发光二极管元件，其中该介电材质选自于氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氢氧化硅(SiOHx)、陶瓷及氧化钛(TiOx)所组成的群组。

12.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中每一该些纳米球的直径介于100纳米（nm）至500纳米（nm）之间。

13.如权利要求12所述的发光二极管元件，其中每一该些纳米球的直径介于160纳米（nm）至180纳米（nm）之间。

14.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该发光结构的出射光波长介于450~500纳米（nm）之间。

15.一种发光二极管元件，包括：

一基板；

一缓冲层，其一表面包括有多个间隔排列的沟槽，并以该表面面向该基板而堆迭于其上；

多个纳米球，容置于该些沟槽中；以及

一发光结构，形成于该缓冲层上。

16.一种发光二极管元件，包括：

一基板；

一缓冲层，堆迭于该基板上，且该缓冲层内包括有多个间隔排列的通道；

多个纳米球，容置于该些通道内；以及

一发光结构，形成于该缓冲层上。

17.如权利要求15或16项任一所述的发光二极管元件，其中该发光结构包含：

一第一半导体层，直接迭设于该缓冲层上；

一第二半导体层，迭设于该第一半导体层上；以及

一发光层，设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间。

18.如权利要求17所述的发光二极管元件，其中该发光结构包含：

一第一半导体层，形成于该缓冲层上；

一发光层，形成于部分该第一半导体层的一面上，使得该第一半导体层的该面上其他未被该发光层所占据的部分被裸露出来；以及

一第二半导体层，形成于该发光层上。