[发明专利]通孔组件模块及其形成方法有效
| 申请号： | 201210283217.9 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103208482A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陈志华;陈承先;萧景文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组件 模块 及其 形成 方法 | ||
1.一种器件，包括：
独立的通孔组件(TAV)模块，包括：
具有顶面的衬底；以及
自所述衬底的所述顶面延伸进入所述衬底的导电通孔，其中，所述独立的TAV模块不具有与所述导电通孔中的每一个的一端都接触的导电部件。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电通孔的底面与所述衬底的底面基本齐平，并且露出所述导电通孔的底面和所述衬底的底面。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电通孔的底面高于所述衬底的底面，并且所述导电通孔的底面与所述衬底的底面被所述衬底的一层隔离开。
4.根据权利要求1所述的器件，还包括位于所述导电通孔上方并与所述导电通孔相连接的多条再分配线，其中，没有再分配线位于所述导电通孔下方并与所述导电通孔相连接，以及所述导电通孔是穿透所述衬底的通孔。
5.根据权利要求1所述的器件，还包括延伸进入所述衬底的多个通道，其中所述多个通道相互平行，并且所述多个通道的长度大于所述多个通道的宽度。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述多个通道包括：
多个第一通道，所述多个第一通道互连从而形成电容器的第一电容器板，所述多个第一通道通过位于所述衬底上方的第一再分配线互连；以及
多个第二通道，所述多个第二通道互连从而形成所述电容器的第二电容器板，所述多个第二通道通过位于所述衬底上方的第二再分配线互连。
7.一种器件，包括：
独立的通孔组件(TAV)模块，包括：
具有顶面的衬底；
穿透所述衬底的通孔；以及
穿透所述衬底的多个通道，所述多个通道在纵向方向上相互平行，并且所述多个通道的长度大于所述多个通道的宽度。
8.一种方法，包括：
形成从晶圆的顶面延伸进入所述晶圆的多个通孔；
形成从所述晶圆的顶面延伸进入所述晶圆的多个通道，其中所述多个通道相互平行，并且所述多个通道的长度大于所述多个通道的宽度；
形成位于所述多个通孔上方并与所述多个通孔连接的多条再分配线；
对所述晶圆的衬底的背面进行背面研磨；以及
对所述晶圆进行管芯锯割以将所述晶圆分割成多个管芯。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述背面研磨之后，露出所述通孔的表面，并且在露出所述通孔的表面和所述衬底的背面时进行所述管芯锯割。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在管芯锯割步骤之后，所述多个通道相互电断开。
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