[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极，所述栅电极含有铜；

所述栅电极上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜含有氮化硅；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜含有氧化硅；

所述第二绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟和氧；

所述氧化物半导体膜上的源电极；

所述氧化物半导体膜上的漏电极；

所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜含有氧化硅；

所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜，所述第四绝缘膜含有氮化硅；以及

所述第四绝缘膜上的像素电极，所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个，

其中，所述氧化物半导体膜在所述源电极和所述漏电极之间具有凹部，所述凹部与所述栅电极重叠，

并且，所述第三绝缘膜接触于所述凹部。

2.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极，所述栅电极含有铜；

所述栅电极上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜含有氮化硅；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜含有氧化硅；

所述第二绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟和氧；

所述氧化物半导体膜上的源电极；

所述氧化物半导体膜上的漏电极；

所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜含有氧化硅；

所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜，所述第四绝缘膜含有氮化硅；

所述第四绝缘膜上的第五绝缘膜；以及

所述第五绝缘膜上的像素电极，所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个，

其中，所述氧化物半导体膜在所述源电极和所述漏电极之间具有凹部，所述凹部与所述栅电极重叠，

并且，所述第三绝缘膜接触于所述凹部。

3.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极，所述栅电极含有铜；

所述栅电极上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜含有氮化硅；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜含有氧化硅；

所述第二绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟和氧；

所述氧化物半导体膜上的源电极；

所述氧化物半导体膜上的漏电极；

所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜含有氧化硅；

所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜，所述第四绝缘膜含有氮化硅；

所述第四绝缘膜上的第五绝缘膜；

所述第五绝缘膜上的像素电极，所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个，

所述像素电极上的液晶层；

所述液晶层上的第二衬底；以及

所述衬底和所述第二衬底之间的间隔物，所述间隔物与所述栅电极重叠，

其中，所述氧化物半导体膜在所述源电极和所述漏电极之间具有凹部，所述凹部与所述栅电极重叠，

并且，所述第三绝缘膜接触于所述凹部。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜含有In-Ga-Zn-O类氧化物半导体。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜含有选自于由In-Sn-Ga-Zn-O类氧化物半导体、In-Sn-Zn-O类氧化物半导体、In-Al-Zn-O类氧化物半导体、In-Zn-O类氧化物半导体、In-Mg-O类氧化物半导体、In-Ga-O类氧化物半导体以及In-O类氧化物半导体组成的群组中的一个。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜的载流子浓度小于1×10¹⁷/cm³。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，还包括：

所述氧化物半导体膜和所述源电极之间的第一n型缓冲层；以及

所述氧化物半导体膜和所述漏电极之间的第二n型缓冲层。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，还包括连接于所述衬底的FPC。

9.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中所述第五绝缘膜含有丙烯酸树脂。