[发明专利]一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法

权利要求书

1.一种改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，所述的电容式触摸屏设置于电子设备上，且电子设备设置有抗静电处理电路，所述的电路包括主芯片、及与主芯片相互连接的传感器和触摸屏控制IC模块，其特征在于，所述的方法步骤如下：

步骤1、设置电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移量XMAX；

步骤2、传感器检测电容式触摸屏是否翻转，触摸屏正面向下；否，则循环检测；是，则执行步骤3；

步骤3、计算电容式触摸屏基准电容量中心值相对于正常值R的偏移量BIAS；

步骤4、将XMAX与BIAS进行比较，若XMAX≥BIAS，则返回步骤3；若XMAX＜BIAS，则执行步骤5；

步骤5、主芯片对触摸屏控制IC模块进行掉电或者提高XMAX值处理。

2.根据权利要求1所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：电子设备设置有一种或者多种能够检测电子设备电容式触摸屏方向的传感器。

3.根据权利要求2所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：所述的传感器为重力传感器。

4.根据权利要求1所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：电容中心值R为静止电容值，为电容式触摸屏连接触摸屏控制IC模块且同时上电后输出的相对电容量。

5.根据权利要求1所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：步骤1所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量为电容屏相对静止电容值的变化量，当手指或者静电接触电容屏的时候，电容值发生相应的变化。

6.根据权利要求5所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：所述的电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的偏移量由触摸屏控制IC模块检测。

7.根据权利要求6所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：所述的最大偏移量XMAX为电容式触摸屏扣在物体上引起电容式触摸屏相对电容中心值R的最大偏移电容量，最大偏移量XMAX的设置由出厂时设定，并根据具体实验情况调整。

8.根据权利要求1所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于：步骤2所述的传感器检测电容式触摸屏是否翻转通过重力传感器测量实现，重力传感器测量在电容式触摸屏翻转时由于重力引起的加速度，计算出电容式触摸屏相对于水平面的倾斜角度。

9.根据权利要求1所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于，步骤5所述的主芯片对触摸屏控制IC模块进行处理包括：通知电容屏控制IC模块进行处理包括电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度或者将电容式触摸屏IC断电。

10.根据权利要求9所述的改善电容式触摸屏抗静电性能的方法，其特征在于，所述的电容式触摸屏IC降低电容式触摸屏灵敏度调整包括：

读取电容式触摸屏静止电容值R；

并将触摸电容式触摸屏时的电容值相对静止电容值R的最大偏移量XMAX调整为大于BIAS；

则当XMAX＞BIAS时，触摸屏灵敏度降低。