[发明专利]废太阳能电池片退银处理方法无效
申请号: | 201210284147.9 | 申请日: | 2012-08-12 |
公开(公告)号: | CN102842648A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 熊涛涛;孙志刚;刘茂华;韩子强;石坚;王俊涛;刘瑞柱 | 申请(专利权)人: | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人: | 王好勤 |
地址: | 456400 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 片退银 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能单晶、多晶硅片技术制造领域,尤其是涉及太阳能单晶、多晶硅片洗料技术。
背景技术
太阳能产业是朝阳产业,随着人们对环境保护重视力度的加大,太阳能产业更是发展迅猛。光伏太阳能硅基电池片是目前普及的绿色能源之一,报废电池片是在生产过程产生的,有设备工艺、人员失误等造成,报废电池片不能达到投炉铸锭标准必须对其酸洗处理。目前市场上酸洗一般为氢氟酸加氟化铵浸泡,处理成本高,处理效果差投炉对硅锭质量有一定影响。通过盐酸浸泡、王水加氢氟酸浸泡再用纯水冲洗干净可以得到干净的退银片。
发明内容
本发明的目的是提供一种废太阳能电池片退银处理方法,它克服了现有技术的缺陷,处理成本低且符合下道工序投炉标准。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
废太阳能电池片退银处理方法,其特征在于包括如下步骤:a将太阳能报废电池片表面洗干净;b用盐酸浸泡2-5小时将铝背场去除,其中,盐酸指分析纯含量36%-38%;c铝背场去除后的硅片(含有银电极和氮化硅蓝膜)用纯水冲洗干净,放入王水中浸泡2-5小时,去除硅片上面银电极;d按王水与HF(氢氟酸)体积比16-20:1的比例,在王水中加入HF(氢氟酸),将去除银电极的硅片置入浸泡2-5小时,去除表面氮化硅蓝膜,得到干净的退银片;所述HF(氢氟酸)指分析纯HF含量42%-50%;e退银片用纯水冲洗干净后得到退银片。
本发明的目的是可通过以下方案进一步实现:
所述按王水与HF体积比18:1的比例,在王水中加入HF。所述盐酸指分析纯含量:36%-38%。
所述王水(硝基盐酸)指盐酸与硝酸的混合液其比例是盐酸:硝酸=3:1,其中,盐酸含量:分析纯36%-38%,硝酸含量:分析纯68%-70%。
所述纯水可以是符合标准的任意纯水,具体是指:纯净水为去离子纯水,电阻率为10兆欧姆·米到18兆欧姆·米。
所述的氮化硅为高纯单晶氮化硅。
本发明的有益效果是:是通过不同酸的性质对电池片上面的铝、银、氮化硅进行单独处理,处理时可以得到充分反应,处理成本低、效率高。可有效降低硅锭生产成本,使投炉量增加达到增效的目的。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例:
废太阳能电池片退银处理方法,依次进步以下步骤:
第一步:将太阳能报废电池片表面洗干净(主要是去除灰尘、金属、油污);
第二步:将装有电池片的花篮放入浸泡槽中(每槽泡料30KG)倒入纯水和盐酸,盐酸:水=1:15,盐酸2升水30升。盐酸是分析纯含量:36%-38%;浸泡2-5个小时。去除表面铝背场。反应式为式1所示:2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑。
其优点是:盐酸与铝反应迅速形成氢气,有效去除铝背场,为退银做好铺垫。
第三步:配制王水(盐酸与硝酸混合液)盐酸:硝酸=3:1,盐酸27升,硝酸9升,将退完铝的电池片用纯水(电阻率10-18兆欧姆·米。)冲洗干净后放入王水中浸泡,浸泡2-5个小时,每个小时搅拌一次。去除电池片上面的银电极。王水指盐酸与硝酸的混合液其比例是盐酸:硝酸=3:1,盐酸含量:分析纯36%-38%。硝酸含量:分析纯68%-70%。反应式为式2所示:Ag+HNO3+HCl=AgCl+NO2↑+H2O。
其优点是:王水与银反应迅速效率高,对以后收集银做好铺垫。
第四步:反应后在王水中加入2升氢氟酸浸泡2-5个小时除表面蓝膜层,氢氟酸指分析纯含量:42%-50%。反应式为式3所示:SiN4+4HF+9H2O=3H2SiO3↓+4NH4F。
其优点是:氢氟酸对氮化硅反应快效率高且电池片表面的杂在在王水与氢氟酸的混合液下能处理干净。
第五步:将退银后的电池片用纯水冲洗干净最终等到退银片。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的