[发明专利]移位寄存器及其电压调整电路与电压调整方法

权利要求书

1.一种电压调整电路，包含：

一第一输入端；

一第二输入端；

一晶体管，具有一源极、一汲极及一闸极，其中该源极耦接于接地端且该闸极耦接于该第二输入端；

一第一电容，具有电容值CP1，耦接于该晶体管的该汲极与该第一输入端之间；

一第二电容，具有电容值CP2，其一端耦接于该第一电容与该晶体管的该汲极之间且其另一端耦接于该第二输入端与该晶体管的该闸极之间；以及

一输出端，耦接于该第一电容与该晶体管的该汲极之间。

2.如权利要求1所述的电压调整电路，其中该第一电容的电容值CP1是介于0.1~0.5pF之间。

3.如权利要求1所述的电压调整电路，其中该第二电容的电容值CP2是介于0.1~0.5pF之间。

4.如权利要求1所述的电压调整电路，其中该输出端耦接至一移位寄存器电路。

5.一种电压调整方法，包含下列步骤：

提供一如权利要求1至4中的任一项所述的电压调整电路；

输入一第二时脉信号至该第一输入端；

输入一第四时脉信号至该第一输入端；以及

由该输出端输出一调整后电压。

6.如权利要求5所述的电压调整方法，其中当该第二时脉信号由低位准转为高位准及该第四时脉信号由高位准转为低位准时，该第一电容与该第二电容对一输入电压进行分压以形成具有一第一电压值的该调整后电压。

7.如权利要求6所述的电压调整方法，其中当该第二时脉信号由高位准转为低位准及该第四时脉信号由低位准转为高位准时，该第一电容与该第二电容对该输入电压进行分压以形成具有一第二电压值的该调整后电压。

8.如权利要求7所述的电压调整方法，其中该调整后电压的该第二电压值低于该第一电压值。

9.如权利要求5所述的电压调整方法，其中该输出端所输出的该调整后电压大小可通过调整该第一电容与该第二电容大小而改变。

10.如权利要求5所述的电压调整方法，其中该第二时脉信号与该第四时脉信号具有大小相同的一脉冲宽度，但该第二时脉信号与该第四时脉信号之间相距1/2个或1个该脉冲宽度。

11.一种移位寄存器，包含：

一如权利要求1至4中任一项所述的电压调整电路；

一第一晶体管，耦接该电压调整电路的该输出端；

一第二晶体管，耦接该第一晶体管；

一第三晶体管，耦接该第二晶体管及接地端；

一第四晶体管，耦接该第一晶体管、该第三晶体管及接地端；以及

一第五晶体管，耦接该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管及该第四晶体管。

12.如权利要求11所述的移位寄存器，进一步包含：

一电容，其一端耦接于该第二晶体管与该第三晶体管之间且其另一端耦接该第五晶体管。

13.如权利要求11所述的移位寄存器，进一步包含：

一输出电阻，其一端耦接于该第二晶体管与该第三晶体管之间且其另一端耦接一第(n)输出级，其中n为正整数；以及

一输出电容，其一端耦接于该输出电阻与该第(n)输出级之间且其另一端耦接于接地端。

14.如权利要求11所述的移位寄存器，其中该第一晶体管包含一第一闸极、一第一汲极及一第一源极，该第一闸极耦接该电压调整电路的该输出端，该第一汲极耦接一第(n-1)输出级，该第一源极耦接该第四晶体管及该第五晶体管。

15.如权利要求11所述的移位寄存器，其中该第二晶体管包含一第二闸极、一第二汲极及一第二源极，该第二闸极耦接于该第二源极与该第五晶体管之间，该第二汲极耦接一第三时脉信号，该第二源极耦接该第三晶体管。

16.如权利要求11所述的移位寄存器，其中该第三晶体管包含一第三闸极、一第三汲极及一第三源极，该第三闸极耦接一第一时脉信号，该第三汲极耦接该第二晶体管，该第三源极耦接该第四晶体管及接地端。