[发明专利]新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法

权利要求书

1.新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于按以下步骤进行：在器件晶圆的第一牺牲层上制备第二牺牲层并图形化；利用薄膜制备技术在第二牺牲层上分别制备红外增透膜和红外透过层，并在红外增透膜和红外透过层上刻蚀出一个小孔；在红外透过层上制备第三牺牲层并图形化；在第三牺牲层上制备红外增透膜，同时在红外增透膜上刻蚀出一个小孔作为释放孔；通过释放孔去除所有牺牲层并将释放孔用填孔材料密封，划片制得新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器。

2.根据权利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于：所述的器件晶圆具有读出电路、探测器敏感元、第一牺牲层和除气剂。

3.根据权利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于：所述的红外增透膜的材料为ZnS。

4.根据权利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于：所述的红外透过层的材料为Ge。

5.根据权利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于：所述的填孔材料为金属材料。

6.根据权利要求1所述的新型CMOS-MEMS兼容的非制冷红外传感器像素级封装方法，其特征在于：所述的除气剂的材料为钛。