[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.倒装发光二极管，包括：

透光性生长衬底，具有第一、第二两个主表面；

n型氮化镓基半导体层，形成于所述生长衬底的第一表面上，其表面制作有光萃取结构；

氮化镓基发光外延叠层，形成于所述生长衬底的第二表面上；

支撑基板，形成于所述氮化镓基发光外延叠层上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述n型氮化镓基半导体层大于或等于1000?。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述n型氮化镓基半导体层折射系数大于透光性生长衬底折射系数。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述n型氮化镓基半导体层的材料选用GaN 、AlGaN或InGaN。

5.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述光萃取结构为不规则排列的须状体或规则排列多边形柱状体。

6.倒装发光二极管的制备方法，包括步骤：

1）提供一透光性生长衬底，其具有第一、第二两个主表面；

2）在所述生长衬底的第一表面上形成n型氮化镓基半导体层，并在其表面上制作光萃取结构；

3) 在所述生长衬底的第二表面上生长氮化镓基发光外延叠层；

4）提供一支撑基板，将其与上述生长氮化镓基发光外延叠层连结。

7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：所述生长衬底为双面抛光蓝宝石衬底。

8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管的制备方法，所述步骤2)通过下面方法制作光萃取结构：在加温的碱性溶液中蚀刻n型氮化镓基半导体层形成粗化的表面。

9.根据权利要求6所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：所述氮化镓基发光外延叠层依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层。

10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤4）包括：

分别在所述氮化镓基发光外延叠层的n型半导体层、p型半导体层上制作n、p电极；

提供一支撑基板，在其上形成金属焊盘；

采用共晶键合的方式，将n、p电极与所述基板上的金属焊盘相接合，构成覆晶式发光二极管。

11.根据权利要求9所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤4）包括：

在p型半导体层上制作金属键合层；

提供一支撑基板，采用共晶键合的方式将p型半导体层与所述基板相接合；

在所述n型氮化镓基半导体层制作n电极，使其与所述氮化镓基发光外延叠层的n型半导体层形成电连接，构成垂直式发光二极管。