[发明专利]一种多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收系统和方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收系统，其特征在于，包括：

淋洗塔，所述淋洗塔用于对还原尾气进行淋洗以除去其中的高氯硅烷和固体杂质；

吸收系统，所述吸收系统用于对淋洗后的还原尾气进行吸收处理，以除去其中的氯硅烷和氯化氢，得到氢气；

吸附装置，所述吸附装置内设有用于对所述氢气进行吸附处理的吸附剂，以进一步吸附掉氢气中所残存的氯硅烷和氯化氢；和

第一过滤装置，所述第一过滤装置用于对经过吸附处理的所述氢气进行过滤，以得到高纯氢气，

其中，所述第一过滤装置内设有陶瓷滤芯。

2.根据权利要求1所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述吸附装置还能够对使用后的吸附剂进行再生，以恢复吸附剂的吸附能力的同时得到从吸附剂中所释放出的再生气，且所述还原尾气的干法回收系统还包括：

第二过滤装置，所述第二过滤装置用于对所述再生气进行过滤以除去其中的高氯硅烷和固体杂质并重新返回淋洗塔进行鼓泡淋洗，

其中，所述第二过滤装置内设有陶瓷滤芯。

3.根据权利要求1或2所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述第一和第二过滤装置包括从上至下依次连接的上封头、直筒部和下封头，其中，

所述过滤装置的上部设有用于排出过滤后的气体的出气口且下部设有用于排出废渣的排渣口，

所述直筒部的下部设有用于向所述直筒内导入待过滤气体的进气口，且所述进气口的上方设有过滤部，所述过滤部包括设有通孔的花盘以及设在所述通孔中的陶瓷滤芯。

4.根据权利要求3所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述通孔为多个，所述多个通孔沿所述花盘的径向和轴向均匀分布，每个所述通孔内均设有所述陶瓷滤芯。

5.根据权利要求3所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述通孔和所述陶瓷滤芯的个数被设置成能够将所述气体的流速控制在0.01～0.2m/s。

6.根据权利要求1或2所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述陶瓷滤芯通过紧固件固定在所述花盘上，所述紧固件包括固定环和压盖，所述固定环焊接在所述花盘上且所述固定环的内孔与所述通孔相对应，所述压盖扣接在所述陶瓷滤芯的顶端且与所述固定环相连接以将所述陶瓷滤芯固定在所述通孔内。

7.根据权利要求6所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述陶瓷滤芯为氧化铝滤芯。

8.根据权利要求7所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述氧化铝滤芯的过滤精度为800～1500目。

9.根据权利要求1或2所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述直筒部上设有检修口，所述检修口位于所述过滤部的上方。

10.根据权利要求1或2所述的还原尾气干法回收系统，其特征在于，所述出气口设在所述上封头的顶端且所述排渣口设在所述下封头的底端。

11.一种多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）对所述还原尾气进行鼓泡淋洗，以除去其中的高氯硅烷和固体杂质；

b)将经过鼓泡淋洗的还原尾气进行吸收处理，以除去其中的氯硅烷和氯化氢，得到氢气；

c）将所述氢气通过吸附剂进行吸附以除去氢气中所残存的氯硅烷和氯化氢，并通过第一过滤装置进行过滤，得到高纯氢气，

其中，所述第一过滤装置为根据权利要求1-10中任一项所述的第一过滤装置。

12.根据权利要求11所述的多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收方法，其特征在于，还包括以下步骤：

d）对吸附了氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行再生，恢复吸附剂的吸附能力的同时得到从吸附剂中所释放出的再生气，其中，所述再生气的成分为氢气、氯化氢、以及微量氯硅烷；

e）对所述再生气通过第二过滤装置进行过滤，得到高纯再生气并返回进行鼓泡淋洗，

其中，所述第二过滤装置内为根据权利要求1-10中任一项所述的第二过滤装置。

13.根据权利要求11或12所述的多晶硅生产工艺中产生的还原尾气的干法回收方法，其特征在于，所述第一过滤装置的进气温度为25～40℃，所述第二过滤装置的进气温度为80～150℃。