[发明专利]半导体多层结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体多层结构，包括：

多层第一导电层，彼此间隔地设置，每层该第一导电层具有一上表面、与该上表面相对而设的一下表面及一侧壁；

多层第一绝缘层，环绕于该多层第一导电层的周围，且每层该第一绝缘层至少覆盖每层该第一导电层的该上表面的一部分、该下表面的一部分以及该侧壁；以及

一第二导电层，覆盖该多层第一导电层与该多层第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体多层结构，更包括：

多层第二绝缘层，与该多层第一导电层交错排列，其中该多层第一导电层的宽度大于该多层第二绝缘层的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体多层结构，更包括：

多个通孔，该多个通孔的数目是与该多层第一导电层的层数有关，该多个通孔是贯穿至该多层第一导电层中至少其中一层，且该多个通孔中相邻的两通孔的深度不相同；以及

多个第三导电层，分别填充于该多个通孔之中，以电性连接至该多层第一导电层中一对应的第一导电层。

4.一种半导体多层结构的制造方法，包括：

形成多层第一导电层，彼此间隔地设置，每层该第一导电层具有一上表面、与该上表面相对而设的一下表面及一侧壁；

形成多层第一绝缘层，环绕于该多层第一导电层的周围，且每层该第一绝缘层至少覆盖每层该第一导电层的该上表面的一部分、该下表面的一部分以及该侧壁；以及

形成一第二导电层，覆盖该多层第一导电层与该多层第一绝缘层。

5.根据权利要求1所述的半导体多层结构的制造方法，其中形成该多层第一绝缘层的步骤之前，更包括：

形成多层第二绝缘材料，与该多层第一导电层交错排列；以及

移除该多层第二绝缘材料的两侧部分，以形成该多层第二绝缘层，使得该多层第一导电层的宽度大于该多层第二绝缘层的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体多层结构的制造方法，其中图案化该多层第二绝缘材料的步骤，包括：

提供该多层交错排列的第二绝缘材料与该多层第一导电层；以及

刻蚀该多层第二绝缘材料的侧壁，以形成该多层第二绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体多层结构的制造方法，其中形成该多层第一绝缘层的步骤，包括：

执行一氧化工艺，以形成该多层第一绝缘层环绕于该多层第一导电层表面。

8.一种半导体多层结构，用于一存储器装置，该半导体多层结构包括：

多层导电层，彼此间隔而设，每层该导电层具有一上表面、与该上表面相对而设的一下表面及一侧壁；

多层栅氧化层，环绕于该多层导电层的周围，且每层该栅氧化层至少覆盖每层该导电层的该上表面的一部分、该下表面的一部分以及该侧壁；以及

一栅极层，覆盖该多层导电层与该多层栅氧化层。

9.根据权利要求8所述的半导体多层结构，更包括：

多层绝缘层，与该多层导电层交错排列，其中该多层导电层的宽度大于该多层绝缘层的宽度。

10.根据权利要求8所述的半导体多层结构，其中每层该导电层的宽度小于该栅极层的宽度。