[发明专利]薄膜器件

权利要求书

1.一种薄膜器件，包括在衬底上的栅电极，在所述栅电极上的栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜以及在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极，其中

包含至少氟或氯的表面层存在于所述氧化物半导体膜的没有与所述源/漏电极重叠的部分中。

2.根据权利要求1所述的薄膜器件，其中

所述表面层包含所述氧化物半导体膜的组成元素、所述源/漏电极的与所述氧化物半导体膜接触的部分的组成元素以及至少氟或氯。

3.根据权利要求1所述的薄膜器件，其中

混合层存在于在所述氧化物半导体膜和所述源/漏电极之间的界面中，所述混合层包含所述氧化物半导体膜的组成元素以及所述源/漏电极的与所述氧化物半导体膜接触的部分的组成元素的混合物。

4.根据权利要求1所述的薄膜器件，进一步包括在所述表面层上的沟道保护绝缘膜，其中

所述表面层也存在于所述氧化物半导体膜的与所述源/漏电极重叠的部分中。

5.根据权利要求4所述的薄膜器件，其中

混合层存在于所述氧化物半导体膜和所述源/漏电极之间的界面中，所述混合层由所述氧化物半导体膜的组成元素、所述源/漏电极的与所述氧化物半导体膜接触的部分的组成元素以及至少氟或氯的混合物构成。

6.一种薄膜器件，包括在衬底上的栅电极，在所述栅电极上的栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜以及在所述氧化物半导体膜上的源/漏电极，其中

混合层存在于在所述氧化物半导体膜和所述源/漏电极之间的界面中，所述混合层包含所述氧化物半导体膜的组成元素以及所述源/漏电极的与所述氧化物半导体膜接触的部分的组成元素的混合物；以及

所述混合层的组成元素的原子的数量从所述源/漏电极侧向所述氧化物半导体膜侧变化。

7.根据权利要求1所述的薄膜器件，其中

所述氧化物半导体膜包含至少铟或锌。

8.根据权利要求1所述的薄膜器件，其中

其中所述表面层的氟原子的数量或氯原子的数量的比例在0.1％和73％之间，包括0.1％和73％。

9.根据权利要求1所述的薄膜器件，其中

其中所述源/漏电极的与所述氧化物半导体膜接触的部分至少包含钛或钼。

10.根据权利要求3所述的薄膜器件，其中：

所述表面层包含铟、镓、锌、氧、钛以及至少氟或氯；以及

所述混合层包含铟、镓、锌、氧和钛。

11.根据权利要求5所述的薄膜器件，其中：

所述表面层包含铟、镓、锌、氧以及至少氟或氯；以及

所述混合层包含铟、镓、锌、氧、钛以及至少氟或氯。

12.根据权利要求3所述的薄膜器件，其中：

所述表面层包含铟、镓、锌、氧、钼以及至少氟或氯；以及

所述混合层包含铟、镓、锌、氧和钼。

13.根据权利要求5所述的薄膜器件，其中：

所述表面层包含铟、镓、锌、氧以及至少氟或氯；以及

所述混合层包含铟、镓、锌、氧、钼以及至少氟或氯。

14.根据权利要求6所述的薄膜器件，其中：

所述混合层包含铟、镓、锌、氧和钛；以及

所述混合层的钛原子的数量从所述源/漏电极侧向所述氧化物半导体膜侧降低，并且所述混合层的铟或锌原子的数量从所述源/漏电极侧向所述氧化物半导体膜侧增加。

15.根据权利要求6所述的薄膜器件，其中：

所述混合层包含铟、镓、锌、氧和钼；以及

所述混合层的钼原子的数量从所述源/漏电极侧向所述氧化物半导体膜侧降低，并且所述混合层的铟或锌原子的数量从所述源/漏电极侧向所述氧化物半导体膜侧增加。