[发明专利]金属氢氧化物纳米线和氧化石墨烯制备氧化石墨烯基多孔薄膜的方法及应用有效
申请号: | 201210286640.4 | 申请日: | 2012-08-13 |
公开(公告)号: | CN102814124A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 彭新生;黄虎彪 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;B01D67/00;C01G3/02 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 氢氧化物 纳米 氧化 石墨 制备 基多 薄膜 方法 应用 | ||
1.一种氢氧化铜纳米线和氧化石墨烯制备氧化石墨烯基多孔薄膜的方法,其特征在于它的步骤如下:
1)超声分散氧化石墨烯获得质量百分比浓度为0.005-0.1%的氧化石墨烯分散液,备用;
2)相同体积的4 mM 硝酸铜水溶液与1.4 mM 乙醇胺水溶液在磁力搅拌下混合均匀,然后静置1-5天,生成Cu(OH)2纳米线溶液;
3)将质量百分比浓度为0.005-0.1%的氧化石墨烯分散液与Cu(OH)2纳米线溶液,按照体积比3:1-3:20混合,在磁力搅拌下混合5-30分钟,生成GO- Cu(OH)2 纳米线絮状悬浮液;将所述的GO- Cu(OH)2 纳米线絮状悬浮液通过聚碳酸酯多孔膜真空抽滤,在聚碳酸酯多孔膜上形成一层厚为1-2微米的GO- Cu(OH)2多孔薄膜,所述的GO- Cu(OH)2多孔薄膜的孔径为1-8纳米;
4)用浓度为1 mM -1 M的酸溶液处理GO- Cu(OH)2多孔薄膜,得到氧化石墨烯基多孔薄膜,所述的氧化石墨烯基多孔薄膜的孔径为1-3纳米;
或用摩尔浓度为1mM-30mM的水合肼溶液处理GO- Cu(OH)2多孔薄膜,再利用1 mM -1 M的酸溶液处理,得到氧化石墨烯基多孔薄膜,所述的氧化石墨烯基多孔薄膜的孔径为1-3纳米。
2.一种氢氧化锌和氧化石墨烯制备氧化石墨烯基多孔薄膜的方法,其特征在于它的步骤如下:
1)超声分散氧化石墨烯获得质量百分比浓度为0.02-0.04%的氧化石墨烯分散液,备用;
2)相同体积的4 mM硝酸锌水溶液与2.4 mM乙醇胺水溶液在磁力搅拌下混合均匀,静置5分钟,生成Zn(OH)2纳米线溶液;
3)将质量百分比浓度为0.005-0.1%的氧化石墨烯分散液与Zn(OH)2纳米线溶液,按照体积比3:1-3:50混合,在磁力搅拌下混合3-10分钟,生成GO- Zn(OH)2 纳米线絮状悬浮液;将所述的GO- Zn(OH)2 纳米线絮状悬浮液通过聚碳酸酯多孔膜真空抽滤,在聚碳酸酯多孔膜上形成一层厚为1-2微米的GO- Zn(OH)2多孔膜,所述的GO- Zn(OH)2多孔薄膜的孔径为1-12纳米;
4)用浓度为1 mM -1 M的酸溶液处理GO- Zn(OH)2多孔薄膜,得到氧化石墨烯基多孔薄膜,所述的氧化石墨烯基多孔薄膜的孔径为1-3纳米,或用摩尔浓度为1mM-30mM的水合肼溶液处理GO- Zn(OH)2多孔薄膜,再利用1 mM -1 M的酸溶液处理,得到一种氧化石墨烯基多孔薄膜,所述的氧化石墨烯基多孔薄膜的孔径为1-4纳米。
3.一种氢氧化镉纳米线和氧化石墨烯制备氧化石墨烯基多孔薄膜的方法,其特征在于它的步骤如下:
1)超声分散氧化石墨烯获得质量百分比浓度为0.005-0.1%的氧化石墨烯分散液,备用;
2)相同体积的4.0 mM 硝酸镉水溶液与1.6 mM 乙醇胺水溶液在磁力搅拌下混合均匀,然后静置30分钟,生成Cd(OH)2纳米线溶液;
3)将质量百分比浓度为0.005-0.1%的氧化石墨烯分散液与Cd(OH)2纳米线溶液,按照体积比3:1-3:100混合,在磁力搅拌下混合5-30分钟,生成GO- Cd(OH)2 纳米线絮状悬浮液;将所述的GO- Cd(OH)2 纳米线絮状悬浮液通过聚碳酸酯多孔膜真空抽滤,在聚碳酸酯多孔膜上形成一层厚为1-2微米的GO- Cd(OH)2多孔薄膜,所述的GO- Cd(OH)2多孔薄膜的孔径为1-6纳米
4)用浓度为1 mM -1 M的酸溶液处理GO- Cd(OH)2多孔薄膜,得到氧化石墨烯基多孔薄膜,所述的氧化石墨烯基多孔薄膜的孔径为1-3纳米,或用摩尔浓度为1mM-30mM的水合肼溶液处理GO- Cd(OH)2多孔薄膜,再利用1 mM -1 M的酸溶液处理,得到氧化石墨烯基多孔薄膜,所述的氧化石墨烯基多孔薄膜的孔径为1-2纳米。
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