[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

工序(a)，即准备半导体衬底的工序；

工序(b)，即在所述半导体衬底上形成第1材料膜的工序；

工序(c)，即在所述第1材料膜上形成抗蚀层的工序；

工序(d)，即对所述抗蚀层进行浸液曝光的工序；

工序(e)，即在所述工序(d)后，对所述抗蚀层进行显影处理的工序；

工序(f)，即在所述工序(e)后，用冲洗液对所述半导体衬底进行冲洗处理的工序；

工序(g)，即在所述工序(f)后，旋转所述半导体衬底以使所述半导体衬底干燥的工序；以及

工序(h)，即在所述工序(g)后，将所述抗蚀层作为蚀刻掩模来对所述第1材料膜进行蚀刻的工序，

其中，在所述工序(e)中，所述第1材料膜从因显影处理而被除去了所述抗蚀层的部分露出，在进行所述工序(f)时，从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的憎水性与所述抗蚀层表面的憎水性相同或更高。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在进行所述工序(g)时，从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的憎水性与所述抗蚀层表面的憎水性相同或更高。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在进行所述工序(f)时，将所述抗蚀层表面的所述冲洗液的接触角设为θ₁、且将从所述抗蚀层露出的所述第1材料膜表面的所述冲洗液的接触角设为θ₂时，所述θ₂大于等于θ₁。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述θ₂大于所述θ₁。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在进行所述工序(d)时如果将所述抗蚀层表面的所述冲洗液的接触角设为θ₃时，则所述θ₃大于所述θ₁。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述θ₃大于所述θ₂。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述θ₂小于等于80°。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述冲洗液为纯水。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(e)中，通过与显影液接触，使所述抗蚀层表面的憎水性下降。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(c)后且在所述工序(d)前，还包括工序(c1)，即在所述抗蚀层的表面形成外涂膜层的工序，而且在所述工序(d)中，所述外涂膜层构成所述抗蚀层的表面，在所述工序(e)中，利用显影液将所述外涂膜层从所述抗蚀层的表面除去。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第1材料膜是以碳为主要成分的有机膜或者以碳及硅为主要成分的有机膜，在所述工序(b)中，所述第1材料膜形成用的药液含有氟树脂，通过将所述药液涂敷到所述半导体衬底上，就可形成所述氟树脂偏析在表面的所述第1材料膜。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述氟树脂是将由以CH₂＝C(X)COOYR_f……(化学式1)表示的单量体形成的单体聚合而成的树脂，

所述化学式1中的X是氢原子、氟原子、碳数1～20的直链状或分支状烷基、碳数1～20的直链状或分支状氟烷基或者CFX₁X₂基，

所述化学式1中的Y是直接键合或者碳数1～10的不含氟原子的二价的有机基，

所述化学式1中的R_f是碳数4～6的直链状或分支状的氟烷基，

所述X₁及X₂是氢原子或氟原子。