[发明专利]金属铝硅铜溅射工艺方法有效
| 申请号： | 201210287156.3 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103632931B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;费强;李晓远 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 铝硅铜 溅射 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于，包括：
步骤1：成膜腔内成膜，其中所述成膜腔的温度为400±100摄氏度；
步骤2：高温腔内恒温放置30-60秒，其中所述恒温腔内温度为500±50摄氏度；
步骤3：冷却腔中在10-30秒的时间内快速降温至200摄氏度以下。
2.如权利要求1所述的金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于：步骤1中所述的成膜腔内成膜，其所成薄膜厚度范围为1-10微米。
3.如权利要求2所述的金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于：步骤1中所述的成膜铝硅铜薄膜，其所成薄膜中硅含量为1±0.1％，铜含量为0.5±0.07％。
4.如权利要求1所述的金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于：步骤3中所述的快速降温，其降温方式为通气降温。
5.如权利要求1所述的金属铝硅铜溅射工艺方法，其特征在于：步骤3中所述的快速降温，其降温方式为加压降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
