[发明专利]RF LDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种RF LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂漂移区，在N型漏端轻掺杂漂移区左侧的P外延上形成有栅氧，所述栅氧上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方、侧面及所述N型漏端轻掺杂漂移区左部上方形成有介质层，所述介质层右部上方形成有法拉第盾，所述法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部在N型漏端轻掺杂漂移区上方，其特征在于，

该单层金属层的多晶硅部正下方的介质层为氧化硅，该单层金属层的漂移部正下方的介质层包括氧化硅、氮化硅，氮化硅区域的宽度小于所述漂移部的宽度，氮化硅区域的上部接该单层金属层的漂移部，下部及两侧为氧化硅。

2.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

氮化硅区域的厚度为1000～3000埃。

3.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

氮化硅区域的宽度为0～1.3um。

4.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于，

在P外延的左部形成有一P阱，所述P阱与所述N型漏端轻掺杂漂移区不接触；

所述P阱的上部形成有一N型源端重掺杂区；

所述N型漏端轻掺杂漂移区的右部形成有一N型漏端重掺杂区；

所述N型漏端重掺杂区、N型源端重掺杂区的N型杂质浓度，大于N型漏端轻掺杂漂移区的N型杂质浓度；

所述N型源端重掺杂区右侧的P阱上方，及所述P阱与所述N型漏端轻掺杂漂移区之间的P外延上方，形成有所述栅氧。

5.一种权利要求1所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.形成栅氧、多晶硅栅、N型漏端轻掺杂漂移区，N型漏端轻掺杂漂移区形成在P外延的右部，栅氧形成在N型漏端轻掺杂漂移区左侧的P外延上，多晶硅栅形成在所述栅氧上；

二．在硅片上整体淀积一层氧化硅；

三．通过光刻刻蚀，在N型漏端轻掺杂漂移区左部上方的氧化硅中形成一沟槽，所述沟槽的深度小于该层氧化硅的厚度；

四．在硅片上整体淀积一层氮化硅，该层氮化硅的厚度等于所述沟槽的深度；

五．将所述沟槽以外区域的氮化硅刻蚀掉；

六．在硅片上淀积一层金属层并进行相应的刻蚀，形成法拉第盾；

构成所述法拉第盾的金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右端连通，竖直部下端同漂移部左端连通，多晶硅部的左端在多晶硅栅上方，漂移部位于所述沟槽的正上方，并且漂移部的宽度大于所述沟槽的宽度；

七.进行后续工艺，形成RF LDMOS器件。

6.根据权利要求5所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，

所述沟槽的宽度小于等于1.3um，深度为1000～3000埃；

该层氮化硅的厚度为1000～3000埃。

7.根据权利要求5所述的RF LDMOS器件的制造方法，其特征在于，

步骤一包括以下步骤：

（1）在P衬底上生长P外延；

（2）在P外延中通过P离子注入及高温推阱形成P阱；

（3）在P外延上生长栅氧化层；

（4）在栅氧化层上淀积多晶硅；

（5）通过光刻胶定义多晶硅栅的位置和面积，多晶硅栅的左端在所述P阱的右部上方，将多晶硅栅区域之外的栅氧化层及多晶硅刻蚀去除，形成栅氧及多晶硅栅；

（6）保留多晶硅栅顶部的光刻胶，进行N型轻掺杂离子注入，在多晶硅栅右侧的P外延中形成一N型漏端轻掺杂漂移区。