[发明专利]基于光子频率上转换的太赫兹成像器件、转换方法

权利要求书

1.一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件，其特征在于，包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件，其中，

 太赫兹上转换器件：用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;

    硅基成像器件：用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。

2.如权利要求1所述的太赫兹成像器件，其特征在于，太赫兹上转换器件包括太赫兹探测器和发光二极管，其中：太赫兹探测器用以实现对太赫兹光子的接收和探测，将太赫兹光信号转化为电信号，并将由所述太赫兹探测器所产生的光电子会迁移到发光二极管的工作区与空穴复合，产生波长为1微米以下的近红外光子或者可见光光子。

3.如权利要求2所述的太赫兹成像器件，其特征在于，太赫兹探测器为半导体量子阱太赫兹探测器。

4.如权利要求1所述的太赫兹成像器件，其特征在于，将太赫兹上转换器件的发光面和硅基光电探测或成像器件的光接受面进行打磨设置，再通过晶片键合技术将这两个平面结合在一起。

5.如权利要求1所述的太赫兹成像器件，其特征在于，红外探测器LED的发光面和硅基光电探测或成像器件的光接受面进行打磨，将它们紧压在一起，中间只留有微米尺寸的间隙，在间隙见利用光胶进行粘合设置。

6.如权利要求1所述的太赫兹成像器件，其特征在于，

硅基成像器件用来探测红外上转换器件所发出的近红外光子，其为以下一种：

若是用来实现红外探测，所用的硅基光电探测或成像器件为硅光电探测器；

若是用来实现红外成像，所用硅基光电探测或成像器件为硅CCD或者硅CMOS器件。

7.一种基于光子频率上转换的太赫兹成像方法，其特征在于，包括：

将太赫兹光子转换为近红外光子或者可见光子，

利用硅基近红外成像器件进行探测成像。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：

太赫兹探测器对太赫兹光子的接收和探测，将太赫兹光信号转化为电信号，并将由所述太赫兹探测器所产生的光电子会迁移到发光二极管的工作区与空穴复合，产生波长为1微米以下的近红外光子或者可见光光子；

硅基成像器件探测红外上转换器件所发出的近红外光子或可见光光子。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

红外探测器LED的发光面和硅基光电探测或成像器件的光接受面进行打磨，将它们紧压在一起，中间只留有微米尺寸的间隙，在间隙见利用光胶进行粘合设置。