[发明专利]形成鳍部的方法和形成鳍式场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201210287328.7 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594342A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 场效应 晶体管 | ||
1.一种形成鳍部的方法，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层，所述半导体衬底表面还具有第一鳍部，所述第一鳍部贯穿所述绝缘层，绝缘层高度低于第一鳍部高度；
在所述第一鳍部的表面形成等离子体掺杂层，所述等离子体掺杂层为均匀的非晶相层；
刻蚀掉所述等离子体掺杂层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的尺寸小于第一鳍部的尺寸。
2.根据权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述第一鳍部的材料包括硅、锗或砷化镓。
3.根据权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述在第一鳍部的表面形成均匀等离子体掺杂层的工艺是等离子体注入。
4.根据权利要求3所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述等离子体注入的等离子体源包括Si、C、Ge、B或Ar。
5.根据权利要求3或4所述的形成鳍部的方法，其特征在于，用于产生等离子体束的设备功率范围为20W～3000W，等离子体注入能量范围为1eV~5000eV，注入剂量范围为1×1014atom/cm2~2×1016atom/cm2。
6.根据权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述等离子体掺杂层的厚度范围为
7.根据权利要求1所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述刻蚀掉等离子体掺杂层的工艺是化学气相刻蚀，所述化学气相刻蚀的温度为600℃~900℃，压力是2托~100托。
8.根据权利要求7所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述化学气相刻蚀的刻蚀气体是HCl，流速范围为5标况毫升/分~100标况毫升/分。
9.根据权利要求7所述的形成鳍部的方法，其特征在于，所述刻蚀气体通过稀释气体进行稀释，所述稀释气体是H2或者惰性气体，流速范围为5标况升/分~50标况升/分。
10.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，包括,：
半导体衬底，所述半导体衬底表面具有绝缘层，所述半导体衬底表面还具有第一鳍部，所述第一鳍部贯穿所述绝缘层，绝缘层高度低于第一鳍部高度；
在所述第一鳍部的表面形成等离子体掺杂层，所述等离子体掺杂层为均匀的非晶相层；
刻蚀掉所述等离子体掺杂层，形成第二鳍部，所述第二鳍部的尺寸小于第一鳍部的尺寸；
在第二鳍部表面形成栅极结构，所述栅极结构横跨第二鳍部顶部和侧壁；
在第二鳍部两端形成源极和漏极，所述源极和漏极位于栅极结构的两侧。
11.根据权利要求10所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述第一鳍部的材料包括硅、锗或砷化镓。
12.根据权利要求10所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述在第一鳍部的表面形成均匀等离子体掺杂层的工艺是等离子体注入。
13.根据权利要求12所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述等离子体注入的等离子体源包括Si、C、Ge、B或Ar。
14.根据权利要求12或13所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，用于产生等离子体束的设备功率范围为20W～3000W，等离子体注入能量范围为1eV~5000eV，注入剂量范围为1×1014atom/cm2~2×1016atom/cm2。
15.根据权利要求10所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述等离子体掺杂层的厚度范围为
16.根据权利要求10所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述刻蚀掉等离子体掺杂层的工艺是化学气相刻蚀，所述化学气相刻蚀的温度范围为600℃~900℃，压力范围为2托~100托。
17.根据权利要求16所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述化学气相刻蚀的刻蚀气体是HCl，流速范围为5标况毫升/分~100标况毫升/分。
18.根据权利要求16所述的形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，所述刻蚀气体通过稀释气体进行稀释，所述稀释气体是H2或者惰性气体，流速范围为5标况升/分~50标况升/分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
