[发明专利]绝缘体上锗硅的形成方法

权利要求书

1.一种绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上形成有绝缘层，所述第二衬底上形成有锗硅层；

结合所述绝缘层和所述锗硅层，使所述第一衬底和所述第二衬底结合成一体结构；

去除所述第二衬底；

去除所述第二衬底后，采用对所述第二衬底和所述锗硅层具有高刻蚀选择比的清洗剂，对所述锗硅层的表面进行清洗，去除所述锗硅层表面的第二衬底残留物。

2.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，对所述锗硅层的表面进行清洗的工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀剂为氨水或四甲基氢氧化铵溶液，所述湿法刻蚀工艺的温度为20℃至90℃。

3.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，去除所述第二衬底的方法为离子切割工艺。

4.如权利要求3所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述离子切割工艺包括：在结合所述绝缘层和所述锗硅层之前，对所述第二衬底进行氢离子掺杂，在所述第二衬底靠近所述锗硅层一侧形成氢离子掺杂层；在结合所述绝缘层和所述锗硅层之后，进行第一热处理，所述第一热处理在不与第一衬底和第二衬底反应的气氛中进行，使所述第二衬底和所述锗硅层分离；接着，移除第二衬底。

5.如权利要求4所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为300℃至500℃。

6.如权利要求4所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的气氛为氮气或氦气。

7.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，去除所述第二衬底的方法为化学机械研磨工艺。

8.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，在结合所述锗硅层和绝缘层之前，还包括：在所述锗硅层上外延生长形成硅材料层。

9.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，在去除所述第二衬底之后、对所述锗硅层的表面进行清洗之前，还包括：对所述结合后的第一衬底、锗硅层和绝缘层进行第二热处理，所述第二热处理用于加强所述锗硅层和所述绝缘层之间的结合强度，且所述第二热处理的气氛为氧化性气体。

10.如权利要求9所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述第二热处理的温度为600℃至1100℃。

11.如权利要求9所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述氧化性气体为氮气。

12.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，结合所述绝缘层和所述锗硅层的工艺为粘合工艺。

13.如权利要求12所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述粘合工艺的温度为80℃至200℃，施加的压力为0.1至10N/cm²，保压时间为2至8小时。

14.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述锗硅层的形成方法为外延生长工艺。

15.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述锗硅层中锗的摩尔百分比含量为大于或等于30%。

16.如权利要求1所述的绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成方法包括：在所述第一衬底上沉积绝缘层，或者是热氧化所述第一衬底以形成绝缘层。