[发明专利]应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构

权利要求书

1.一种应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括参考电流源、第一N型MOS场效应管（N1）、第二N型MOS场效应管（N2）、第一P型MOS场效应管（P1）、第二P型MOS场效应管（P2）电路模块、第三P型MOS场效应管（P3）、电阻（R1）和运算放大器；所述的第一N型MOS场效应管（N1）的栅极和漏极短接并连接到所述的参考电流源的一端，所述的参考电流源的另一端连接电源；所述的第一N型MOS场效应管（N1）的源极和衬底接地；所述的第二N型MOS场效应管（N2）的栅极连接所述的第一N型MOS场效应管（N1）的栅极；所述的第二N型MOS场效应管（N2）的漏极连接所述的第一P型MOS场效应管（P1）的相互短接的栅极和漏极；所述的第二N型MOS场效应管（N2）的源极和衬底接地；所述的第一P型MOS场效应管（P1）的源极和衬底连接所述的电源；所述的第二P型MOS场效应管（P2）的栅极连接所述的第一P型MOS场效应管（P1）的栅极；所述的第二P型MOS场效应管（P2）的源极和衬底连接所述的电源；所述的第二P型MOS场效应管（P2）的漏极连接所述的第三P型MOS场效应管（P3）的源极和衬底，并为该电路结构的输出节点（Vout）；所述的第三P型MOS场效应管（P3）的栅极为该电路结构的输入节点（Vin）；所述的第三P型MOS场效应管（P3）的漏极连接所述的运算放大器的反向输入端，并通过所述的电阻（R1）接地；所述的运算放大器的正向输入端连接外部参考电压（Vx）；所述的运算放大器的输出端连接所述的第一N型MOS场效应管（N1）和第二N型MOS场效应管（N2）的栅极。

2.根据权利要求1所述的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，其特征在于，所述的第一N型MOS场效应管（N1）与所述的第二N型MOS场效应管（N2）的沟道宽长比相同。

3.根据权利要求2所述的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，其特征在于，所述的第一P型MOS场效应管（P1）与所述的第二P型MOS场效应管（P2）电路模块的沟道宽长比相同。

4.根据权利要求3所述的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，其特征在于，所述的第二P型MOS场效应管（P2）电路模块由多个相同的P型MOS场效应管相互并联组成。

5.根据权利要求4所述的应用于音频放大器输入级的低失真电平位移缓冲电路结构，其特征在于，所述的多个相同的P型MOS场效应管的数量为20至50。