[发明专利]一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管

权利要求书

1.一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底（1），在N型衬底（1）上设有埋氧（2），在埋氧（2）上设有N型外延层（3），在N型外延层（3）的内部设有N型缓冲阱（4）和P型体区（16），在N型缓冲阱（4）内设有P型阳区（5）和N型体接触区（19），在P型体区（16）中设有N型阴区（15）和P型体接触区（14），在N型外延层（3）的表面设有栅氧化层（11）和场氧化层（8）且栅氧化层（11）的一端和场氧化层（8）的一端相抵，所述栅氧化层（11）的另一端向N型阴区（15）延伸并止于N型阴区（15）的边界，所述场氧化层（8）的另一端向P型阳区（5）延伸并止于P型阳区（5）的边界，在N型阴区（15）和P型体接触区（14）表面设有浅P型阱区（13），且浅P型阱区（13）延伸至栅氧化层（11）下方，在栅氧化层（11）的表面设有多晶硅栅（10）且多晶硅栅（10）延伸至场氧化层（8）的上表面，在场氧化层（8）、P型体接触区（14）、N型阴区（15）、多晶硅栅（10）、P型阳区（5）和N型体接触区（19）的表面设有钝化层（7），在P型阳区（5）和N型体接触区（19）表面连接有第一金属层（6），在多晶硅栅（10）的表面连接有第二金属层（9），在P型体接触区（14）和N型阴区（15）表面连接有第三金属层（12），其特征在于，在P型阳区（5）和N型体接触区（19）正下方设有深N型阱区（18），所述深N型阱区（18）位于N型缓冲阱（4）内。

2.根据权利要求1所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于所述深N型阱区（18）掺杂浓度是N型缓冲阱（4）掺杂浓度的五倍到十倍，深N型阱区（18）的注入能量是N型缓冲阱（4）注入能量的二倍到三倍。

3.根据权利要求2所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于所述N型缓冲阱（4）的掺杂剂量为1e13cm^-2，注入能量为80Kev，深N型阱区（18）的掺杂剂量是1.0e14cm^-2，注入能量是180Kev。

4.根据权利要求1所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于所述深N型阱区（18）与场氧化层（8）在器件底部的投影交叠，交叠部分的范围为0-1μm。

5.根据权利要求1所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于在浅P型阱区（13）正下方设有深P型阱区（17），所述深P型阱区（17）位于P型体区（16）内,且位于N型阴区（15）和P型体接触区（14）下方，与浅P型阱区（13）在器件底部的投影完全重合。

6.根据权利要求5所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于所述深P型阱区（17）掺杂浓度是浅P型阱区（13）掺杂浓度的十倍到二十倍，深P型阱区（17）的注入能量是浅P型阱区（13）注入能量的二倍到三倍。

7.根据权利要求6所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于所述浅P型阱区（13）的掺杂剂量为1.0e12cm^-2，注入能量为80Kev，深P型阱区（17）的掺杂剂量是1.5e13cm^-2，注入能量是180Kev。

8.根据权利要求5所述的高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征在于所述深P型阱区（17）与栅氧化层（11）在器件底部的投影交叠，交叠部分的范围为1-2μm。