[发明专利]仿真金属连线间填充介质空洞寄生电容的方法

权利要求书

1.一种仿真金属连线间填充介质空洞寄生电容的方法，其特征是，包括：

（一）建立模型，将空洞的形态用一个矩形上置一个底边与所述矩形等宽的等腰三角形来描述；将矩形的长、宽、等腰三角形的高，以及矩形和金属底部的距离均设为参数变量，通过改变金属间距（s），能得到该条件下金属介质空洞的等效物理模型矩形部分宽（a），高（b），距金属底部距离（c），以及等腰三角形的高度（d）；将（a、b、c）分别依金属间距（s）作数据图，并拟合出趋势线；平板金属间电容的公式为：C=ε0*εi/t；其中C为电容值，ε0为真空介电常数，εi为两相邻金属间的填充介质的介电系数，t为金属间距，通过积分能得到金属间的电容值；

（二）选择参数，选取需要仿真的金属参数，读取步骤（一）中模型矩形部分宽（a），高（b），和金属底部距离（c），以及三角形部分的高度（d）；

（三）模型转换，将步骤（一）模型顶部三角形部分转化为面积相等底边相同的矩形，新模型的高度为b+d/2；

（四）套用填充风格，将金属之间的填充介质层分成三部分：介质空洞部分（Air gap）、位于介质空洞顶端且和介质空洞等宽的填充介质（IMDB）和余下的填充介质（IMDA）；将（IMDA）部分套用仿真软件填充风格B来设置，参数x=IMD厚度，y=（金属间距s-介质空洞长度a）/2，z=介质空洞距金属底部距离（c）；将介质空洞部分套用仿真软件填充风格A来设置，介质空洞高度=b+d/2，将IMDB部分套用仿真软件填充风格A来设置，IMDB的厚度=IMD厚度+金属厚度-介质空洞高度-介质空洞距金属底部距离（c）；

所述填充风格A是填充介质与下层金属的形态完全没有关系，填充后形成一平面；所述填充风格B是填充介质依托下层金属的形态产生，填充后形成与下层金属相似的形态；

（五）仿真计算，将步骤（四）中设置和对应介质的介电常数输入Cadence Raphael仿真软件，运行仿真程序即能得到该层金属在该宽度和间距条件下的寄生电容。