[发明专利]一种氮化镓系高压发光二极管及其制作方法无效

申请号：	201210290019.5	申请日：	2012-08-15
公开（公告）号：	CN102769023A	公开（公告）日：	2012-11-07
发明（设计）人：	冯文泉;武乐可;钟伟荣;熊威	申请（专利权）人：	上海蓝宝光电材料有限公司
主分类号：	H01L27/15	分类号：	H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00
代理公司：	上海三和万国知识产权代理事务所 31230	代理人：	张民华
地址：	201616***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种氮化高压发光二极管及其制作方法
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【权利要求书】：

1. 一种氮化镓系高压发光二极管，包括有发光单元（100），该发光单元（100）形成于同一衬底（200）上，发光单元（100）之间由绝缘沟道（300）隔开，各发光单元（100）通过金属连接线（400）串联或并联，其特征在于，所述绝缘沟道（300）中具有填充层（310），所述金属连接线（400）位于该填充层（310）上。

2. 根据权利要求1所述的一种氮化镓系高压发光二极管，其特征在于，所述发光单元（100）包括有至少一层N型氮化镓半导体层（110）和一层P型氮化镓半导体层（120），N型氮化镓半导体层（110）和P型氮化镓半导体层（120）叠合在一起，P型氮化镓半导体层（120）上具有透明导电膜（121）和正电极（122），N型氮化镓半导体层（110）上具有负电极（111）。

3. .根据权利要求1所述的一种氮化镓系高压发光二极管，其特征在于，所述填充层（310）由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成。

4. 一种氮化镓系高压发光二极管的制作方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1）在衬底上成长发光外延层；

2）用绝缘耐热材料在发光外延层上形成回蚀阻挡层；

3）在回蚀阻挡层及发光外延层中刻蚀形成绝缘沟道，该绝缘沟道延伸至衬底处，将发光外延层分割成独立块；

4）将一层非光敏型材料涂布于回蚀阻挡层外表面，并填充绝缘沟道，形成绝缘耐热的填充层；

5）去除填充层位于回蚀阻挡层外表面的部分，并保留其位于绝缘沟道中的部分；

6）将回蚀阻挡层去除；

7）将发光外延层分割成的独立块分别形成发光单元；

8）完成各发光单元金属内连线。

5. 根据权利要求4所述的一种氮化镓系高压发光二极管的制作方法，其特征在于，步骤1）中，发光外延层由N型氮化镓半导体层和P型氮化镓半导体层组成。

6. 根据权利要求4所述的一种氮化镓系高压发光二极管的制作方法，其特征在于，步骤2）中，绝缘耐热材料以物理气相沉积或化学气相沉积的方式在发光外延层上形成回蚀阻挡层。