[发明专利]一种制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

制备半导体晶片，所述半导体晶片包括在其上形成的插嵌的夹层绝缘膜；

在所述夹层绝缘膜上形成绝缘膜；

通过干法刻蚀在所述绝缘膜的给定区域中形成配线槽；

在包括配线槽的绝缘膜上形成铜种子薄膜；

通过电镀设备使用电镀方法在所述种子薄膜上形成镀铜薄膜；

除去配线槽之外的区域中的镀铜薄膜和种子薄膜并且形成嵌入配线槽内的镀铜薄膜的配线；

其中，在通过电镀设备形成镀铜薄膜的步骤中，当所述半导体晶片浸泡在电镀溶液中以形成镀铜薄膜时，检测施加在阴极和阳极之间的电镀电压，以及

确定检测到的电镀电压是否落入预先设定的设定电压范围内，并且

其中，在测定的结果中，当电镀电压未落入设定电压范围内时，对电镀溶液中的无机成分的浓度进行调节，使得电镀电压的电压值落入设定电压范围内。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，当电镀电压高于设定电压范围的上限时，根据电镀电压，对电镀溶液中的无机成分的浓度进行调节，使所述浓度增加，并且

其中，在测定的结果中，当电镀电压低于设定电压范围的下限值时，根据电镀电压的电压值，对电镀溶液中的无机成分的浓度进行调节，使得所述浓度降低。

3.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，当所述电镀电压高于设定电压范围的上限值时，对电镀溶液中的无机成分的浓度的调节为将盐酸供给至电镀溶液中。

4.如权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，当所述电镀电压高于设定电压范围的上限值时，供给形成电镀溶液的基础溶液，并且

其中，所述基础溶液包括硫酸铜、硫酸和盐酸。

5.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，当所述电镀电压低于设定电压范围的下限值时，供给纯水。

6.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在形成半导体晶片的镀铜薄膜的过程中，对无机成分进行浓度调节。

7.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在对检测电镀电压之后在其上形成镀铜薄膜的半导体晶片的处理完成之后并且在另一半导体晶片上形成镀铜薄膜之前，对无机成分进行浓度调节。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

制备半导体晶片，所述半导体晶片包括在其上形成的插嵌的夹层绝缘膜；

在所述夹层绝缘膜上形成绝缘膜；

通过干法刻蚀在绝缘膜的给定区域中形成配线槽；

在包括配线槽的绝缘膜上形成铜种子薄膜；

通过电镀设备使用电镀方法在所述种子薄膜上形成镀铜薄膜；

除去配线槽之外的区域中的种子薄膜和镀铜薄膜，并且形成嵌入配线槽内的镀铜薄膜的配线；

其中，在通过电镀设备形成镀铜薄膜的步骤中，当将所述半导体晶片浸泡在电镀溶液中以形成镀铜薄膜时，检测电镀溶液中的无机成分的浓度，并且

确定无机成分的浓度是否落入预先设定的设定浓度范围内，

其中，在测定的结果中，当无机成分的浓度未落入设定浓度范围内时，调节电镀溶液中的无机成分的浓度，使得无机成分的浓度落入设定浓度范围内。

9.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中，待检测的无机成分的浓度为电镀溶液中盐酸的浓度，并且

其中，当无机成分的浓度高于设定浓度范围的上限值时，将盐酸供给至电镀溶液中。

10.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中，待检测的无机成分的浓度为电镀溶液中盐酸的浓度，

其中，当无机成分的浓度高于设定浓度范围的上限值时，供给形成电镀溶液的基础溶液，并且

其中，基础溶液包括硫酸铜、硫酸和盐酸。

11.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中，当无机成分的浓度低于设定浓度范围的下限值时，供给纯水。

12.如权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中，在形成半导体晶片的镀铜薄膜过程中，对无机成分的浓度进行调节。