[发明专利]防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法无效
| 申请号： | 201210293265.6 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103633007A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 沟槽 隔离 边缘 接触 漏电 方法 | ||
1.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于：在硅接触孔形成以后，用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。
2.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于，其N+掺杂部分，包括如下步骤：
步骤一、在位于硅衬底上方的绝缘层中形成硅接触孔后，在所述绝缘层上方涂覆光刻胶，利用光刻露出N+硅接触孔；
步骤二、在所述N+硅接触孔中和光刻胶的表面涂布N+溶液；
步骤三、对所述N+溶液加热，使得N+溶液挥发，留下N型离子残留在所述N+硅接触孔表面的相应区域；
步骤四、使用干法去胶工艺方法去除所述光刻胶；
步骤五、对经过上述步骤处理已经形成的器件结构进行退火处理，使得残留在所述N+硅接触孔表面的N型离子扩散到所述N+硅接触孔底部的硅衬底中；
步骤六、使用湿法清洗去除残留在所述N+硅接触孔相应表面的N型离子。
3.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于，其P+掺杂部分，包括如下步骤：
步骤1、在位于硅衬底上方的绝缘层中形成硅接触孔后，在所述绝缘层上方涂覆光刻胶，利用光刻露出P+硅接触孔；
步骤2、在所述P+硅接触孔中和光刻胶的表面涂布P+溶液；
步骤3、对所述P+溶液加热，使得P+溶液挥发，留下P型离子残留在所述P+硅接触孔表面的相应区域；
步骤4、使用干法去胶工艺方法去除所述光刻胶；
步骤5、对经过上述步骤处理已经形成的器件结构进行退火处理，使得残留在所述P+硅接触孔表面的P型离子扩散到所述P+硅接触孔底部的硅衬底中；
步骤6、使用湿法清洗去除残留在所述P+硅接触孔相应表面的P型离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
