[发明专利]一种炭质材料表面制备高温抗氧化涂层的方法有效
申请号: | 201210293583.2 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102807394A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 吴宁宁;李同起;张中伟;冯志海;李钰梅;刘风亮;俸翔 | 申请(专利权)人: | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
主分类号: | C04B41/89 | 分类号: | C04B41/89 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 材料 表面 制备 高温 氧化 涂层 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种炭质材料表面制备高温抗氧化涂层的方法,属于碳材料氧化防护用无机涂层材料技术领域。
背景技术
碳材料具有质量轻,导热性能好和强的抗冲击性能,尤其是碳/碳复合材料在1700℃以上的高温环境下,具有非常高的力学性能,被广泛应用于航空、航天、核能等条件苛刻的高技术领域。但是碳质材料在450℃的有氧环境下开始氧化,对其力学性能有致命性的破坏。抗氧化涂层是一种有效的解决碳材料高温热防护的主要方法,但是对于高于1700℃的高温有氧环境,单层涂层难以满足抗氧化要求,只能采用梯度涂层。梯度涂层由基体向外一般分为过渡层、氧阻挡层、密封层等。SiC涂层具有很好的热稳定性,与碳质材料具有很好的物理化学相容性,热膨胀系数相近,是理想的过渡层候选材料。但是SiC在高于1650℃的高温环境下氧化生成的SiO2开始熔融,与碳材料的结合力明显降低,容易导致涂层脱落而失效。在SiC涂层的基础上制备一层含有高熔点碳化物陶瓷(以下简称XC)的涂层,如HfC(熔点3890℃)、TaC(3880℃)、ZrC(3540℃),能够避免涂层脱落,在更高温度和更长时间抗氧化。SiO2在高温下能够熔融,封填涂层微裂纹,而且可以和HfC、TaC、ZrC氧化分别生成的HfO2,Ta2O5,ZrO2反应生成玻璃态熔融物,牢牢附着在涂层表面,封填表面的开孔,阻止氧化气体进入基体,增强涂层的高温抗氧化性能。因此在炭质材料表面制备SiC/XC/SiO2梯度涂层,能够在高于1800℃的高温下具有较好的抗氧化效果。但是现有研究制备XC涂层主要采用化学气相沉积的方法,该方法存在周期较长,尾气污染严重等缺点。
发明内容
本发明的目的是为了现有技术中化学气相沉积法制备XC涂层存在周期长、尾气污染严重的缺点,提出一种炭质材料表面制备高温抗氧化涂层的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明的一种炭质材料表面制备高温抗氧化涂层的方法,该方法为涂敷烧结法,涂敷烧结法不受外形和尺寸的限制,制备周期短且成本低,该方法是在炭质材料表面涂敷反应浆料I,然后烧结,再涂敷浆料II,再烧结,最后刷涂正硅酸乙酯,干燥后得到表面具有高温抗氧化涂层的炭质材料;具体步骤为:
1)在炭质材料表面涂敷反应浆料I;反应浆料I由树脂和有效组元组成;树脂与有效组元的质量比为1-2∶1;树脂作为反应物料和载体,树脂为硅树脂、酚醛树脂或环氧树脂中的一种或其混合物;有效组元为单质硅;
2)将步骤1)中得到的炭质材料进行烧结,烧结完成后在炭质材料的表面形成碳化硅(SiC)应力释放层;烧结温度为1400-1800℃,烧结时间为1-4h;
3)在步骤2)得到的碳化硅表面涂敷氧阻挡层浆料II;氧阻挡层浆料II树脂作为反应物料和载体,添加难熔金属氧化物并混合均匀而成;难熔金属氧化物记为XO,其中,X为Hf、Ta或Zr;树脂与XO的质量比为3∶1-4;
4)将步骤3)得到的炭质材料进行烧结,烧结完成后重复步骤3)中的涂敷和该步骤的烧结过程1-2次;最后在碳化硅表面形成难熔金属碳化物即XC氧阻挡层;烧结温度为1300-1800℃,烧结时间为1-4h;
5)在步骤4)得到的XC氧阻挡层表面刷涂正硅酸乙酯(TEOS),然后干燥;重复刷涂和干燥1-4次,得到密封层,干燥温度为100-120℃,干燥时间为1-3h;该密封层用于封填XC氧阻挡层的孔隙。
将上述方法制备的炭质材料在1300℃静态氧化环境中考核30min,其失重率为1×10-3-4×10-3g/(m2.s);
将上述方法制备的炭质材料在1500℃静态氧化环境中考核20min,其失重率为3×10-3-6×10-3g/(m2.s);
将上述方法制备的碳/碳复合材料在1800℃等离子风洞环境中考核800s,其失重率为5×10-3-9×10-3g/(m2.s)。
有益效果
本发明通过难熔金属氧化物(XO)和树脂的相对含量,解决梯度涂层内部应力不匹配的问题,减少微裂纹,增大涂层的结合力,增强涂层抗氧化能力;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院,未经航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210293583.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。