[发明专利]沟槽隔离结构及其形成方法

权利要求书

1.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该沟槽隔离结构的形成方法包括：

提供一基板；

在该基板中形成一沟槽；

在该沟槽中顺应性地形成一第一绝缘层覆盖该沟槽；

在该第一绝缘层上顺应性地形成一氮化物衬层；

在该氮化物衬层上形成一第二绝缘层，且填满该沟槽；

蚀刻该第二绝缘层，使得该第二绝缘层的上表面低于或等于该基板的上表面；以及

在该第二绝缘层上形成一第三绝缘层覆盖第二绝缘层，其与该第一绝缘层、该氮化物衬层及该第二绝缘层形成一沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该第一绝缘层为一高温氧化层。

3.如权利要求2所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该高温氧化层为氧化硅层。

4.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该第二绝缘层为一旋涂玻璃层。

5.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该第三绝缘层为一高密度电浆氧化物层。

6.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该氮化物衬层以去耦合电浆氮化法形成。

7.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成该沟槽之前，更包括在该基板上形成一硬罩幕层，且形成该沟槽的步骤，包括依序蚀刻该硬罩幕层及该基板，以在该基板上形成一沟槽。

8.如权利要求7所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该硬罩幕为氮化硅层。

9.如权利要求7所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，更包括：

在形成该第三绝缘层之后，移除该硬罩幕；

之后，对该第三绝缘层进行一回蚀刻步骤，以减少其尺寸；以及

在该沟槽以外的该基板的上表面形成一通道氧化物层，形成一浮动闸极层，覆盖在该通道氧化物层及该第三绝缘层上。

10.一种沟槽隔离结构，其特征在于，该沟槽隔离结构包括：

一基板，该基板中具有一沟槽；以及

一隔离结构，位于该沟槽中，该隔离结构包括：

一第一绝缘层，顺应性地覆盖该沟槽；

一氮化物衬层，顺应性地覆盖该第一绝缘层；

一第二绝缘层，位于该氮化物衬层上，且填入该沟槽；以及

一第三绝缘层，位于该第二绝缘层上，其中该第二绝缘层的上表面低于或等于该基板的上表面。

11.如权利要求10所述的沟槽隔离结构，其特征在于，该第一绝缘层为一高温氧化层。

12.如权利要求10所述的沟槽隔离结构，其特征在于，该高温氧化层为氧化硅层。

13.如权利要求10所述的沟槽隔离结构，其特征在于，该第二绝缘层为一旋涂玻璃层。

14.如权利要求10所述的沟槽隔离结构，其特征在于，该第三绝缘层为一高密度电浆氧化物层。