[发明专利]半导体封装构造及其制造方法有效
| 申请号： | 201210294468.7 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867759A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
提供一薄型重布线转接层，所述薄型重布线转接层设于一半导体基材层上，所述薄型重布线转接层的内部具有至少一电路层，及所述薄型重布线转接层的一下表面具有数个转接凸块；
通过一粘着层将所述薄型重布线转接层的下表面固定在一临时性承载板上；
移除所述半导体基材层，以裸露所述薄型重布线转接层的一上表面；
对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔以形成数个通孔，所述通孔分别露出所述电路层的数个部分；
将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层的所述电路层的所述数个露出部分；
利用一封装胶体包覆所述芯片；以及
移除所述粘着层及临时性承载板，以裸露所述薄型重布线转接层的下表面的转接凸块。
2.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在形成所述通孔的步骤之后，另包含：对所述通孔进行电镀以形成数个转接垫，以电性连接所述芯片。
3.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在裸露所述薄型重布线转接层的下表面的转接凸块的步骤之后，另包含：将所述薄型重布线转接层的转接凸块电性连接至一电路基板上。
4.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在所述芯片电性连接所述薄型重布线转接层的步骤中，所述芯片的一有源表面朝向所述薄型重布线转接层并具有数个凸块，所述芯片通过所述凸块电性连接在所述薄型重布线转接层的上表面的转接垫。
5.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在所述芯片电性连接所述薄型重布线转接层的步骤中，所述芯片的一有源表面背对所述薄型重布线转接层并具有数个焊垫，所述芯片的焊垫通过数条导线电性连接在所述薄型重布线转接层的上表面的转接垫。
6.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在利用所述封装胶体包覆所述芯片及所述薄型重布线转接层的步骤之前，另包含：利用一底部填充胶填充在所述芯片及所述薄型重布线转接层的上表面之间。
7.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在将所述薄型重布线转接层的转接凸块电性连接至所述电路基板上的步骤之前，另包含：切割所述薄型重布线转接层及封装胶体。
8.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述薄型重布线转接层的厚度介于10至30微米之间。
9.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述薄型重布线转接层包含至少一介电材料层，所述介电材料层的材料选自二氧化硅、苯并环丁烯、聚酰亚胺或低介电常数材料。
10.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述半导体基材层是一半导体晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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