[发明专利]低压欠压直通过压保护限流电路

权利要求书

1.一种低压欠压直通过压保护限流电路，其特征在于，包括P沟道的MOS管Q10和4个NPN型三极管Q11、Q12、Q13和Q14；

   MOS管Q10的S极接低压欠压直通过压保护限流电路的正输入端Vin，MOS管Q10的D极通过电阻R18接低压欠压直通过压保护限流电路的正输出端Vout；MOS管Q10的G极与Vin之间接有电阻R19；

   电阻R22和电阻R26串接成第一分压支路，且电阻R22与Vin相接，R26接地；第一分压支路的分压点接Q13的B极；Q13的C极通过电阻R17接Vin；Q13的E极接地；

  Q14的B极接Q13的C极，Q14的C极接Q10的G极；Q14的E极接地；

  电阻R21和电阻R25串接成第二分压支路；且电阻R21与Vout相接，电阻R25接地；第二分压支路的分压点接Q12的B极，Q12的C极和E极分别接Q14的B极和地；

   电阻R20和电阻R27形成第三分压支路；且R20接Q10的D极，R27接地；第三分压支路的分压点接Q11的B极，Q11的C极和E极分别接Q12的C极和Vout；

   在Vin与地之间以及Vout与地之间均接有滤波电容。

2.根据权利要求1所述的低压欠压直通过压保护限流电路，其特征在于，各电阻与各自的电阻值对应关系如下：

R17  200K；

R18  0.5；

R19  200K；

R20  560；

R21  12K；

R22  10K；

R25  1.75K；

R26  910；

R27  10K；电阻的阻值单位均为欧姆。