[发明专利]制造PZT纳米粒子墨水基压电传感器的方法和系统

权利要求书

1.制造锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水基压电传感器（110）的方法，该方法包括：

按配方配制锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水（104）；以及

经由墨水沉积过程（122）将所述PZT纳米粒子墨水（104）沉积在基体（101）上以形成PZT纳米粒子墨水基压电传感器（110）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述PZT纳米粒子墨水（104）包括纳米级PZT粒子（106）。

3.根据权利要求1或权利要求2中任意权利要求所述的方法，其中所述PZT纳米粒子墨水（104）包括用于促进所述PZT纳米粒子墨水（104）粘结到所述基体（101）的溶胶-凝胶基粘结促进剂。

4.根据权利要求1-3中任意权利要求所述的方法，其中所述墨水沉积过程（122）不需要PZT晶体在所述基体（101）上生长。

5.根据权利要求1-4中任意权利要求所述的方法，其中所述墨水沉积过程（122）包括直写印制过程（124），该直写印制过程（124）选自包括如下过程的组：喷射原子化沉积过程（126）、墨水喷射印制过程（128）、气雾剂印制过程（180）、脉冲激光蒸发过程（182）、柔印过程（184）、微喷涂印制过程（186）、平网丝印过程（187）、旋转丝网印制过程（188）和凹版印制过程（189）。

6.根据权利要求1-5中任意权利要求所述的方法，其中所述基体（101）包括选自包括如下材料的组中的材料：复合材料、金属材料以及复合材料和金属材料的组合。

7.根据权利要求1-6中任意权利要求所述的方法，其中所述基体（101）具有弯曲表面（138）。

8.根据权利要求1-7中任意权利要求所述的方法，其中所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器（110）以定制形状被沉积在所述基体（101）上。

9.用于制造锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水基压电传感器（110）的系统，该系统包括：

按配方配制的锆钛酸铅（PZT）纳米粒子墨水（104）；以及

将所述PZT纳米粒子墨水（104）沉积在基体（101）上以形成PZT纳米粒子墨水基压电传感器（110）的墨水沉积设备（142）。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述PZT纳米粒子墨水（104）包括纳米级PZT粒子（106）。

11.根据权利要求9或权利要求10中任意权利要求所述的系统，其中所述PZT纳米粒子墨水（104）包括用于促进所述PZT纳米粒子墨水（104）粘结到所述基体（101）的表面的溶胶-凝胶基粘结促进剂（108）。

12.根据权利要求9或权利要求10中任意权利要求所述的系统，其中所述墨水沉积设备（142）不需要PZT晶体在所述基体（101）的表面上生长。

13.根据权利要求9-12中任意权利要求所述的系统，其中所述墨水沉积设备（142）包括直写印制设备（144），该直写印制设备（144）选自包括如下设备的组：喷射原子化沉积设备（146）、墨水喷射印制设备（147）、气雾剂印制设备（190）、脉冲激光蒸发设备（192）、柔印设备（194）、微喷涂印制设备（196）、平网丝印设备（197）、旋转丝网印制设备（188）和凹版印制设备（189）。

14.根据权利要求9-13中任意权利要求所述的系统，其中所述基体（101）包括选自包括如下材料的组中的材料：复合材料、金属材料以及复合材料和金属材料的组合。

15.根据权利要求9-14中任意权利要求所述的系统，其中所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器（110）以定制形状被沉积在所述基体（101）上。