[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板、栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与所述栅极位于基板上不同区域，源极和漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；

半导体层，所述半导体层形成在所述源极和漏极之间，半导体层在基板上的投影和源极与漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；

第一绝缘层，所述第一绝缘层，形成在所述基板之上栅极之下，且覆盖所述源极或漏极；

还包括，像素电极，所述像素电极与所述漏极相连；

栅极线，所述栅极线与所述栅极相连；

数据线，所述数据线与所述源极相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板为玻璃基板或者，

为表面形成有钝化层的玻璃基板，钝化层形成在玻璃基板上待形成源极或漏极的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述数据线形成在所述基板上，所述半导体层形成在所述源极上，所述漏极形成在所述半导体层上，所述第一绝缘层形成在所述漏极上，所述像素电极形成在所述第一绝缘层上；其中，所述像素电极通过第一绝缘层上的过孔与所述漏极相连。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极形成在所述基板上，所述漏极形成在所述像素电极上，所述半导体层形成在所述漏极上，所述源极形成在所述半导体层上，所述第一绝缘层形成在所述源极上。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：形成在所述基板上与所述源极相对应的凹槽；

其中，所述源极形成在所述基板的凹槽内，所述半导体层形成在所述源极上，所述漏极形成在所述半导体层上，所述第一绝缘层形成在所述漏极上，所述像素电极形成在所述第一绝缘层上；其中，所述像素电极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述漏极相连。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：形成在所述基板上与所述源极和所述数据线相对应的凹槽，其中，源极对应的凹槽和数据线对应的凹槽连通；

其中，所述源极和数据线形成在所述基板各自相应的凹槽内，所述半导体层形成在所述源极上，所述漏极形成在所述半导体层上，所述第一绝缘层形成在所述漏极上，所述像素电极形成在所述第一绝缘层上；其中，所述像素电极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述漏极相连。

7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：形成在所述基板上与所述漏极相对应的凹槽；

其中，所述像素电极形成在基板上且所述像素电极的部分形成在所述凹槽内，所述漏极形成在具有像素电极的凹槽内，所述半导体层形成在所述漏极上，所述源极形成在所述半导体层上，所述第一绝缘层形成在所述源极上。

8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，其中，所述第一欧姆接触层形成在所述源极和所述半导体层之间，所述第二欧姆接触层形成在所述漏极和所述半导体层之间，且所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层与所述源极、漏极、半导体层在基板上的垂直投影具有重叠区域。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、漏极、半导体层，以及所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层在基板上的垂直投影完全重叠。

10.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极的厚度相等。

11.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层还包括形成在基板上，位于栅极下方的绝缘层。

12.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述源极之间的垂直距离等于所述栅极与所述漏极之间的垂直距离，所述栅极与所述源极的交叠面积等于所述栅极与所述漏极的交叠面积。

13.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：形成在所述栅极上的第二绝缘层。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至13任一项所述的阵列基板。