[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料的化学式如下所示：

2.一种有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

提供化合物D：及化合物C：在惰性气氛下，将摩尔比为1:2.2～1:2.5的化合物D及化合物C溶解于有机溶剂中，加入无机碱，回流搅拌反应6～12小时后，停止反应冷却至室温，用二氯甲烷萃取，旋转蒸发除去溶剂，收集固体，然后用醋酸溶解固体，再加入质量百分比为30%的双氧水，其中，2,7-二溴-9,9-二（2-（9-苯基咔唑））芴与30%双氧水的体积比为1:5～1:6，在80～90℃下搅拌反应12～24小时，得到粗产物，粗产物经过分离纯化后得到所述有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述分离提纯过程具体为分别用饱和食盐水和蒸馏水洗粗产物，收集有机相，有机相用无水硫酸镁干燥，过滤后用旋转蒸发除去溶剂，用氯仿和正己烷重结晶提纯。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、甲苯或乙醇中的至少一种。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述无机碱为碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠或磷酸钾中的至少一种。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述化合物D：的制备方法如下：

在无氧环境中，提供化合物A：2,7-二溴芴酮，化合物B：9-苯基咔唑，

将摩尔比为1：3～5的化合物A与化合物B混合并在氮气气氛下加热，加热温度为110～120℃，再滴加1～2mL催化剂三氟甲磺酸，结束反应后得到粗产物，再将粗产物纯化得到化合物D。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述纯化制得化合物D的步骤包括采用丙酮作溶剂将粗产物进行重结晶。

8.一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层以及阴极层，所述发光层为如下所示的有机半导体材料：

9.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层厚度为20nm～50nm。