[发明专利]晶体硅太阳能电池组件无效
申请号: | 201210297038.0 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN103633163A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 金刘 | 申请(专利权)人: | 江苏格林保尔光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金辉 |
地址: | 213161 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池组件,也叫太阳能电池板,是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中最重要的部分。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能电池作为绿色能源,越来越受到人们的关注。传统的太阳能电池组件的主栅采用银印制栅线,成本较高。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种制作简便的低成本的晶体硅太阳能电池组件。
实现本发明目的的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅;所述正极层上具有背电极和背电场;所述主栅上均布有若干三角形的小孔。
上述技术方案所述负极层为银层。
上述技术方案所述正极层为铝层。
上述技术方案所述负极层和N型硅层之间还设有氮化硅减反射膜层。
上述技术方案所述氮化硅减反射膜层和N型硅层之间还设有第一二氧化硅钝化膜层。
上述技术方案所述P型硅层和正极层之间还设有第二二氧化硅钝化膜层。
采用上述技术方案后,本发明具有以下积极的效果:
(1)本发明的主栅上均布有若干三角形的小孔;可以减少银浆的使用,降低了制作成本。
(2)本发明采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳能组件的减反射膜层, 主要作用是减少光的反射,而且氮化硅膜含有大量的氢,可以很好的钝化硅中的表面悬挂键,从而提高了载流子迁移率;同时,在氮化硅膜与N型硅之间沉积二氧化硅膜,可以更有效的减少入射光在太阳能电池表面的反射损失,提高太阳能组件吸收阳光的量,并能让太阳能组件吸收来自各个角度的全部阳光光谱,从而使太阳能电站的经济效益大为改善。
(3)本发明的正极层和P型硅层之间设有第二二氧化硅钝化膜层;二氧化硅具有吸杂、钝化的作用,可以提高反射效率。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的负极层的结构示意图;
图中1.负极层,11.主栅,111.小孔,12.副栅,2.N型硅层,3.P型硅层,4.正极层,41.背电极,42.背电场,5.氮化硅减反射膜层,6.第一二氧化硅钝化膜层,7.第二二氧化硅钝化膜层。
具体实施方式
(实施例1)
见图1和图2,本发明具有依次层叠的负极层1、N型硅层2、P型硅层3和正极层4;负极层1为银层,负极层1的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅11以及与主栅11垂直且等间距分布的副栅12;主栅11上均布有若干三角形的小孔111;负极层1和N型硅层2之间还设有氮化硅减反射膜层5;氮化硅减反射膜层5和N型硅层2之间设有第一二氧化硅钝化膜层6;正极层4为铝层,正极层4上具有背电极41和背电场42; P型硅层3和正极层4之间还设有第二二氧化硅钝化膜层7。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的