[发明专利]一种双层熔丝及其制造方法

权利要求书

1.一种双层熔丝制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成第一绝缘层，包括有与第一区域及与所述第一区域不重叠的第二区域；

在所述第一区域上形成第一导电金属层；

形成第一区块，第二区块及第三区块，其中，所述第二区块形成于所述第一导电金属层上表面，所述第一区块及所述第三区块所覆盖的区域，一部分属于所述第一区域，另一部分属于所述第二区域，所述第一区块和所述第二区块间为第一熔丝窗口，所述第二区块和所述第三区块之间为第二熔丝窗口，所述第二区块上包括第二导电金属层；

在所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层，在所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层，在所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层，具体包括：

在所述第一熔丝窗口中填充第一隔离材料，在所述第二熔丝窗口中填充第二隔离材料，所述第一隔离材料与所述第二隔离材料为相同或不相同的隔离材料，所述填充第一隔离材料和所述填充第二隔离材料为同时进行或分开进行；

通过回刻，使所述第一熔丝窗口中形成第一隔离层；以及使所述第二熔丝窗口中形成第二隔离层，通过所述第一隔离层和所述第二隔离层，能覆盖所述第一导电金属层。

3.如权利要求2所述方法，其特征在于，所述形成第一区块，第二区块及第三区块，具体为：

形成相互平行的第一区块，第二区块及第三区块。

4.如权利要求1，2或3中任一权项所述的方法，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层为热稳定绝缘材料。

5.一种双层熔丝，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一绝缘层，形成于半导体衬底上，包括有第一区域，及与所述第一区域不重叠的第二区域；

第一导电金属层，形成于所述第一区域上；

第一区块，第二区块及第三区块，其中，所述第二区块形成于所述第一导电金属层上表面，所述第一区块及所述第三区块所覆盖的区域，一部分属于所述第一区域，另一部分属于所述第二区域，所述第一区块和所述第二区块间为第一熔丝窗口，所述第二区块和所述第三区块之间为第二熔丝窗口；

第二导电金属层，形成于所述第二区块中；

第一隔离层，形成在所述第一熔丝窗口中；第二隔离层，形成在所述第二熔丝窗口中。

6.如权利要求5所述的熔丝，其特征在于，所述第一区块和所述第二区块具体包括第二绝缘层第一区块和第二绝缘层第三区块及叠放在所述第二绝缘层第一区块和所述第二绝缘层第三区块的钝化层，第二区块具体包括第二绝缘层第二区块及叠放在所述第二绝缘层第二区块上的所述第二导电金属层。

7.如权利要求5所述的熔丝，其特征在于，所述第一区块，第二区块及第三区块具体为相互平行设置的三个区块。

8.如权利要求5，6，或7中任一权项所述的熔丝，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层为热稳定绝缘材料。

9.如权利要求8所述的熔丝，其特征在于，所述第一隔离层对应的第一隔离材料与所述第二隔离层对应的第二隔离材料为相同或不相同的隔离材料。