[发明专利]一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法

权利要求书

1.一种直接发光型微显示阵列，其特征在于包括外延片（1）、半导体矩阵单元(17)、半导体矩阵隔离区(2)、n型导电层(3)、发光层(4)、p型导电层(5)、n电极(6)、p电极(7)、隔离保护层(8)、阳极线（9）、阴极线（10）；外延片（1）包括衬底（18），以及在衬底（18）上依次生长的n型导电层（3）、发光层（4）、空穴型导电型（5），在外延片（1）上采用干法刻蚀方法，刻蚀深至n型导电层(3)，形成多个半导体矩阵单元（17），所述的半导体矩阵单元（17）由未刻蚀到n型导电层(3)的部分组成，在刻蚀露出的n型导电层（3）上注入离子，离子渗透直至衬底（18），形成高阻区，得到半导体矩阵隔离区(2)，半导体矩阵单元（17）的n型导电层（3）上设置n电极(6)，各个n电极（6）相连构成阴极线（10），在p型导电层（5）上进行光刻或刻蚀，获得空穴型导电通孔（11），在p型导电层通孔（11）外设置隔离保护层（8），半导体矩阵单元（17）的p型导电层(5)上设置p电极(7)，各个p电极(7)相连构成阳极线（9）。

2.根据权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列，其特征在于：矩阵单元（17）结构包括n型导电层（3）、发光层（4）、p型导电层（5）。

3.根据权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列，其特征在于：所述半导体矩阵隔离区（2）纵向介于n型导电层（3）与衬底（18）之间，横向介于n电极（6）和半导体矩阵单元（17）之间。

4.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种直接发光型微显示阵列，其特征在于：所述n电极（6）位于半导体矩阵单元（17）和矩阵隔离区（2）之间，p电极（7）位于半导体矩阵单元（17）内。

5.根据权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列，其特征在于：所述阳极线（9）和阴极线（10）的在空间上交叉的区域为显示像素。

6.根据基于权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列，其特征在于：所述半导体矩阵隔离区(2)的电阻最低达到10¹¹Ω。

7.一种基于权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列的制备方法，其特征在于所述隔离保护层(8)的材料是SiO2或SiNx或聚酰亚胺等绝缘导电层。

8.一种基于权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列的制备方法，其特征在于在所述阳极线（9）和阴极线（10）两端交错设置焊点。

9.根据权利要求1所述的一种直接发光型微显示阵列的制备方法，其特征在于：其包括包括如下步骤：清洗外延片（1）；干法刻蚀部分外延片（1），至n型导电层（3），形成多个半导体矩阵单元（17）；在刻蚀露出的n型导电层（3）注入离子，直至衬底（18），形成高阻，获得半导体矩阵隔离区（2）；在n型导电层（3）上淀积金属，形成n电极（6），各个n电极（6）相连构成阴极线（10）；在整个外延片上用PECVD淀积隔离保护层（8）；在p型导电层（5）上用光刻或者干法刻蚀方法，获得p型导电层通孔（11），空穴型导电通孔（11）的面积不超过p型导电层（5）的面积；在获得的p型导电层(5)上淀积金属，形成p电极(7)，各个p电极(7)相连构成阳极线(9)。