[发明专利]光纤有效

专利信息
申请号: 201210297505.X 申请日: 2012-08-20
公开(公告)号: CN102955197A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 平野正晃;春名彻也;田村欣章;山本义典 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;G02B6/036
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 宋丹氢;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光纤
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种光纤。

背景技术

在光通信系统中,理想的是改善光信噪比(OSNR)。对于使用数字相干探测的通信方式,光信噪比中的改善特别重要。通过改善光信噪比,可以增加传输信号的容量,可以增加光通信系统的传输距离,并且,可以增大中继器之间的间隔。因此,可以提高光通信系统的性能。

为了改善光信噪比,重要的是减少用作光传输线的光纤的非线性,以及减小光传输线中的衰减。为了减少光纤中所产生的非线性,可以扩大光纤的有效面积Aeff,以及,可以增加光纤的色散(chromatic dispersion)的绝对值。周知一种非色散位移光纤,其中色散的绝对值较大,并且扩大了有效面积Aeff(例如,国际公开No.00/062106、日本专利申请公开No.2005-202440、以及国际公开No.2011/066063)。

然而,相对于已经安装作为光传输线或在发射机、接收机、中继器等基于光纤的装置中用作光纤的下列这些光纤,ITU-T G.652系列的标准单模光纤(SSMF,波长带1.55μm中的有效面积Aeff为大约80μm2)、ITU-T G.653系列的色散位移光纤(DSF,波长带1.55μm中的有效面积Aeff在50μm2至80μm2的范围内)、以及ITU-T G.655和G.656系列的非零色散位移光纤(NZ-DSF),有效面积Aeff扩大的非色散位移光纤具有较大的异种拼接损耗(dissimilar splice loss)。结果,会使光信噪比降低。ITU-T G.652系列的标准光纤具有的光学特性诸如:光缆截止波长短于或等于1260nm,波长1310nm时模场直径(MFD)的标称值在8.6μm至9.5μm的范围内,零色散波长在1300nm至1324nm的范围内,以及,零色散波长时的色散斜率小于或等于0.093ps/nm2/km。

美国专利No.6,421,489在表1中披露了具有较大有效面积Aeff和较小模场直径MFD的光纤。然而,这些光纤是零色散波长处于1508nm至1570nm范围中的色散位移光纤。因此,这些光纤具有较小绝对值的色散,并且很可能发生非线性现象。此外,预期这些光纤具有较高的弯曲损耗(具体而言,微弯损耗)。另外,这些光纤会具有大于或等于1857nm的非常长的截止波长。

美国专利No.6,687,441在表1中披露了具有较大有效面积Aeff和较小模场直径MFD的光纤。然而,这些光纤是零色散波长处于1472nm至1579nm范围中的色散位移光纤。此外,这些光纤在中心包含中空(空隙(void))。因此,预期其生产率不高,并且,衰减可能较大。另外,容易推知,因为在与其他光纤熔接期间这些光纤的中空塌陷,会使拼接损耗增大,并因此使波导结构改变。

发明内容

据此,本发明的目的是,提供这样一种光纤,其适合用作光通信系统中的光传输线,并且可以改善光信噪比。

根据本发明第一方面的光纤是一种包括芯部和包层部的光纤。在1550nm波长,由k=4Aeff/(πMFD2)表示的“k值”大于或等于1.08,式中Aeff是有效面积,而MFD是模场直径,色散大于或等于+19.0ps/nm/km且小于或等于+21.9ps/nm/km,以及,模场直径MFD大于或等于10.3μm且小于或等于13.0μm。

在根据第一方面的光纤中,适宜的是,在1550nm波长,有效面积Aeff可以大于或等于100μm2。适宜的是,在1550nm波长,衰减可以小于或等于0.19dB/km。适宜的是,芯部可以由石英玻璃(silica glass)制成,其包含平均浓度大于或等于1000原子ppm的卤族元素,以及,其包含作为掺质的典型金属元素或过渡金属元素的平均浓度不超出0.01原子ppm。此外,适宜的是芯部可以包含平均浓度在0.01原子ppm至50原子ppm范围内的碱金属元素。

在根据第一方面的光纤中,适宜的是,在1550nm波长,本发明的光纤与标准单模光纤之间的异种拼接损耗可以小于或等于0.4dB。适宜的是,当用长度大于或等于10km的光纤以大于或等于0.4N的缠绕张力缠绕于直径220mm的芯轴外周,在1550nm波长,衰减可以小于或等于0.19dB/km。

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