[发明专利]磁图像传感器及鉴伪方法

权利要求书

1.一种磁图像传感器，包括磁传感器芯片，其特征在于，所述磁传感器芯片包括第一磁敏感单元点阵和第二磁敏感单元点阵，所述第一磁敏感单元点阵和所述第二磁敏感单元点阵之间的夹角θ为0＜θ＜180°，所述第一磁敏感单元点阵和所述第二磁敏感单元点阵分别包括N个和M个磁敏感单元，所述磁敏感单元是由磁敏感薄膜制作的惠斯通电桥电路，其中，N、M为≥1的整数。

2.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述第一磁敏感单元点阵包括n×m个所述磁敏感单元，而且，所述磁敏感单元横向设置，m、n为≥1的整数；

所述第二磁敏感单元点阵包括a×b个所述磁敏感单元，而且，所述磁敏感单元纵向设置，a、b为≥1的整数。

3.根据权利要求2所述的磁图像传感器，其特征在于，所述磁敏感单元包括至少一对相互平行且钉扎方向相反的磁敏感薄膜，而且所述磁敏感单元的间距为两个所述磁敏感薄膜之间的距离，所述磁敏感单元的对称中心为两个所述磁敏感薄膜在其长度方向上的对称中心。

4.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，所述第一磁敏感单元点阵中的n×m个所述磁敏感单元的间距相等；所述第二磁敏感单元点阵中的a×b个所述磁敏感单元的间距相等。

5.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，所述第一磁敏感单元点阵中的n×m个所述磁敏感单元的间距不完全相等；在所述第二磁敏感单元点阵中的a×b个所述磁敏感单元的间距不完全相等。

6.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，所述第一磁敏感单元点阵中的n×m个所述磁敏感单元的间距相等；所述第二磁敏感单元点阵中的a×b个所述磁敏感单元的间距不相等；或者，

所述第一磁敏感单元点阵中的n×m个所述磁敏感单元的间距不相等；所述第二磁敏感单元点阵中的a×b个所述磁敏感单元的间距相等。

7.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，在所述第一磁敏感单元点阵中，每行磁敏感单元中的各所述磁敏感单元的对称中心在同一直线上。

8.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，在所述第一磁敏感单元点阵中，每行磁敏感单元中的各所述磁敏感单元的对称中心不完全在同一直线上。

9.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，在所述第二磁敏感单元点阵中，每列磁敏感单元中的各所述磁敏感单元的对称中心在同一直线上。

10.根据权利要求3所述的磁图像传感器，其特征在于，在所述第二磁敏感单元点阵中，每列磁敏感单元中的各所述磁敏感单元的对称中心不完全在同一直线上。

11.根据权利要求2所述的磁图像传感器，其特征在于，在所述第一磁敏感单元点阵中，m列所述磁敏感单元在所述磁传感器芯片的横向方向上不存在间隙，以将所述磁传感器芯片的横向完全覆盖；

在所述第二磁敏感单元点阵中，a行所述磁敏感单元将所述磁传感器芯片的纵向方向上不存在间隙，以将所述磁传感器芯片的纵向完全覆盖。

12.根据权利要求2所述的磁图像传感器，其特征在于，在所述第一磁敏感单元点阵中，m列所述磁敏感单元在所述磁传感器芯片的横向方向上存在间隙；

在所述第二磁敏感单元点阵中，a行所述磁敏感单元在所述磁传感器芯片的纵向方向上存在间隙。

13.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述惠斯通电桥电路为惠斯通半桥电路，或者，所述惠斯通电桥电路为惠斯通全桥电路，每个所述惠斯通电桥电路设有一个差分输出通道。

14.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜为连续不间断的薄膜。

15.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜包括多段薄膜段，所述薄膜段由导体串联。

16.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜为直线型薄膜或者弯曲的蛇形薄膜。

17.根据权利要求1所述的磁图像传感器，其特征在于，所述磁敏感薄膜为霍尔效应薄膜、各向异性磁电阻薄膜、巨磁电阻薄膜、隧道磁电阻薄膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍尔效应薄膜。