[发明专利]可变耦合电感器

权利要求书

1.一种可变耦合电感器，其特征在于，所述可变耦合电感器包括：

第一芯材，包括二第一突出部、第二突出部以及二导线槽，所述第二突出部位于所述二第一突出部之间，每一个所述导线槽分别位于所述二第一突出部的其中之一与所述第二突出部之间；

二导线，每一个所述导线分别设置于所述二导线槽的其中之一中；

第二芯材，设置于所述第一芯材上，每一个所述第一突出部与所述第二芯材之间形成有第一间隙，所述第二突出部与所述第二芯材之间形成有第二间隙；以及

磁性结构，设置于所述第二突出部与所述第二芯材之间，所述磁性结构相对于所述第二突出部的中线呈对称分布。

2.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述第一间隙的垂直距离小于所述第二间隙的垂直距离。

3.如权利要求2所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述可变耦合电感器具有总高度H，所述第一间隙的垂直距离介于0.0073H与0.0492H之间，且所述第二间隙的垂直距离介于0.0196H与0.1720H之间。

4.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述磁性结构具有第一导磁率μ1，所述第一间隙具有第二导磁率μ2，所述第二间隙具有第三导磁率μ3，所述第一导磁率至所述第三导磁率的关系是μ1>μ2≧μ3。

5.如权利要求4所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述第一芯材具有第四导磁率μ4，所述第二芯材具有第五导磁率μ5，所述第一导磁率至所述第五导磁率的关系是μ1≧μ4>μ2≧μ3且μ1≧μ5>μ2≧μ3。

6.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述第一间隙与所述第二间隙都位于所述导线槽的底面至所述第二芯材的垂直距离所涵盖的范围中。

7.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述磁性结构与所述第一芯材一体成型。

8.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述磁性结构与所述第二芯材一体成型。

9.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述磁性结构包括至少一片段，所述至少一片段相对于所述第二突出部的中线呈对称分布。

10.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述磁性结构的二端分别与所述第一芯材及所述第二芯材完全接触。

11.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述磁性结构具有第一表面积A1，所述第二突出部具有第二表面积A2，在第一电流I1下测得第一感量L1，在第二电流I2下测得第二感量L2，1.21(I1/I2)≧A1/A2≧0.81(I1/I2)，且0.8L1≧L2≧0.7L1。

12.如权利要求11所述的可变耦合电感器，其特征在于，在所述第一电流I1加1安培下测得第三感量L3，且5.5nH≧L1-L3≧4.5nH。

13.如权利要求1所述的可变耦合电感器，其特征在于，所述第一间隙是非磁隙，且所述第二间隙是气隙或非磁隙。