[发明专利]具零待机电流消耗的电源重置电路有效
申请号: | 201210298503.2 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103633973B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 卢孝华;郭志明;王宇淳 | 申请(专利权)人: | 晶豪科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源重置 供给电压源 电压检测单元 零待机电流 电路 电量储存 供应阶段 消耗 待机状态 电压位准 额外消耗 开关单元 开关电路 控制电源 中断供应 重置单元 零电流 耦接 电量 储存 输出 | ||
1.一种具零待机电流消耗的电源重置电路,其特征在于,所述的电源重置电路是用于根据一供给电压源的下降产生一电源重置信号,所述的电源重置电路包含:
一电量储存单元,包含一输入端,一输出端和耦接至所述输出端的一电容,所述电量储存单元具有一第一临界电压值,其所述输入端耦接所述供给电压源,所述输出端耦接第一参考节点,所述电量储存单元用于在所述供给电压源的电压值高于所述第一临界电压值时进行充电,以及用于在所述供给电压源的电压值低于所述第一临界电压值时进行放电;
一第一电压检测单元,耦接于所述第一参考节点与第二参考节点间,所述第一电压检测单元接收所述供给电压源以于所述供给电压源低于第二临界电压值时使所述第二参考节点的电压追踪所述第一参考节点的电压,以及用于在所述供给电压源高于第二临界电压时使所述第二参考节点的电压下拉至一参考电压;
一第二电压检测单元,耦接于所述供给电压源与所述第二参考节点间,所述第二电压检测单元并耦接第三参考节点,以于所述第三参考节点具有所述参考电压时始导通流经所述第二电压检测单元的所述供给电压源与所述第二参考节点间的路径;
一第三电压检测单元,耦接于所述供给电压源与所述第三参考节点间,所述第三电压检测单元并耦接第二参考节点,以于所述第二参考节点具有所述参考电压时始导通流经所述第三电压检测单元的所述供给电压源与所述第三参考节点间的路径;
一开关单元,耦接于所述第三参考节点与一参考电压端之间,所述开关单元并耦接第二参考节点,以于所述第二参考节点具有因追踪着所述第一参考节点而被升起的电压时始导通流经所述开关单元的所述第三参考节点与所述参考电压端间的路径,使所述第三参考节点的电压下拉至所述参考电压;及
一电源重置单元,其输入端是耦接所述第三参考节点,以依据所述第三参考节点具有的电压位准于输出端产生所述电源重置信号的输出。
2.根据权利要求1所述的电源重置电路,其特征在于,所述电量储存单元包含:
一第二导电型第一晶体管,具有所述第一临界电压值,其栅极端与漏极端一同耦接所述供给电压源,其源极端耦接所述第一参考节点;及
其中,所述电容由一第二导电型第二晶体管所组成,所述第二导电型第二晶体管的栅极端耦接所述第一参考节点,其源极端及漏极端一同耦接至接地。
3.根据权利要求1所述的电源重置电路,其特征在于,所述第一电压检测单元包含:
一第一导电型晶体管组,具有所述第二临界电压值,其串接有二个第一导电型的晶体管,其栅极端皆耦接至所述供给电压源,所述第一导电型晶体管组中的第一个晶体管的源极端耦接所述第一参考节点,第二个晶体管的漏极端耦接所述第二参考节点,其中,于所述供给电压源低于第二临界电压值时才会让所述二个第一导电型的晶体管导通;及
一第二导电型晶体管组,具有所述第二临界电压值,其串接有三个第二导电型的晶体管,其栅极端皆耦接至所述供给电压源,所述第二导电型晶体管组中的第一个晶体管的漏极端耦接所述第二参考节点,第三个晶体管的源极端则是耦接至所述参考电压,其中,于所述供给电压源高于第二临界电压值时才会让所述三个第二导电型的晶体管导通。
4.根据权利要求3所述的电源重置电路,其特征在于,所述第一导电型晶体管是为P型晶体管,所述第二导电型晶体管是为N型晶体管。
5.根据权利要求1所述的电源重置电路,其特征在于,所述第二电压检测单元包含:
一第一导电型第一晶体管,其源极端是耦接所述供给电压源,漏极端是耦接所述第二参考节点,栅极端是耦接所述第三参考节点,其中所述第一导电型第一晶体管的栅极端的电压位准为所述参考电压时,所述第一导电型第一晶体管导通。
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