[发明专利]一种类单晶晶体硅锭的制作方法和多晶硅铸锭炉

权利要求书

1.一种类单晶晶体硅锭的制作方法，其特征在于，包括：

对铺设在一容器底部的籽晶层和位于所述籽晶层上方的硅料进行加热，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶层部分熔化，形成液态硅层，且未熔化的部分籽晶层保持为固态；

在类单晶生长时，控制所述容器内的热场，使所述籽晶层内的籽晶间拼缝处温度高于籽晶区域的温度。

2.一种多晶硅铸锭炉，用于类单晶晶体硅锭的制作，包括用于支撑籽晶和硅料的承载容器的底板，其特征在于，所述底板表面与籽晶间拼缝对应的位置处的热导率低于其他位置处的热导率。

3.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板包括：

底板主体和控温部件，所述控温部件与籽晶间拼缝位置相对应，且所述控温部件的热导率低于底板主体的热导率。

4.根据权利要求3所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体的热导率为10W/(m·K)~1000W/(m·K)。

5.根据权利要求3所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述控温部件的热导率为0.01W/(m·K)~50W/(m·K)。

6.根据权利要求3所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件围成多个尺寸相同的矩形，且所述矩形以阵列方式排布在所述底板主体上。

7.根据权利要求3所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体为一平板结构。

8.根据权利要求7所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体表面设置有凹槽。

9.根据权利要求8所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述凹槽的深度为1mm~30mm，所述凹槽的宽度为2mm~80mm。

10.根据权利要求8所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述控温部件设置在所述凹槽内，且所述温控部件填满所述凹槽。

11.根据权利要求7所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件直接贴合在所述底板主体表面上。

12.根据权利要求11所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件的厚度为1mm~20mm，所述温控部件的宽度为2mm~80mm。

13.根据权利要求7所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体内设置有通透槽，所述通透槽贯穿所述底板主体。

14.根据权利要求13所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件设置在所述通透槽内。

15.根据权利要求2~14任意一项所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，还包括：

保温板，所述保温板围成一保温腔；

冷却铜板，所述冷却铜板位于保温腔的底部；

底部加热器，所述底部加热器位于冷却铜板上方；

热交换台，所述热交换台位于所述底部加热器的上方，且所述热交换台上方设置有底板；

硅料盛载容器，所述硅料盛载容器用于盛放硅料和籽晶，所述硅料盛载容器外围设置有防护板，且所述硅料盛载容器和防护板位于底板上方；

顶部加热器，所述顶部加热器位于保温腔的顶部。