[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极；

所述栅电极之上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包含氮化硅和氮氧化硅中的一种；

所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包含氧化硅和氧氮化硅中的一种；

所述栅电极之上的半导体膜，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜夹在所述栅电极和所述半导体膜之间；

在所述半导体膜之上并与所述半导体膜电接触的源电极；

在所述半导体膜之上并与所述半导体膜电接触的漏电极；

所述半导体膜、所述源电极和所述漏电极之上的第三绝缘膜；和

所述第三绝缘膜之上的像素电极，所述像素电极电连接于所述源电极和所述漏电极中的一个；

其中所述像素电极重叠于所述半导体膜，

其中所述半导体膜的第一边缘不延伸超出所述栅电极的第一边缘，所述半导体膜的所述第一边缘重叠于所述源电极，

其中所述半导体膜的第二边缘不延伸超出所述栅电极的第二边缘，所述半导体膜的所述第二边缘重叠于所述漏电极，并且

其中所述半导体膜包括含有杂质的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

公共电极；和

夹在所述像素电极和所述公共电极之间的发光层。

3.一种半导体装置，包括：

栅电极；

与所述栅电极相邻的绝缘膜；

与所述栅电极重叠的半导体膜，所述绝缘膜夹在所述栅电极和所述半导体膜之间；

与所述半导体膜电连接的源电极；

与所述半导体膜电连接的漏电极；

所述半导体膜、所述源电极和所述漏电极之上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜之上的像素电极，所述像素电极电连接于所述源电极和所述漏电极中的一个；

所述像素电极之上的液晶层；

所述液晶层之上的隔离物；

所述隔离物之上的第一着色膜；

所述第一着色膜之上的第二着色膜；

所述第二着色膜之上的遮光膜，

其中所述第一着色膜、所述第二着色膜和所述遮光膜中的每一个重叠于所述隔离物。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

在所述液晶层之上的突起。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述隔离物的底表面的面积小于所述隔离物的顶表面的面积。

6.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中所述半导体膜包括非晶区和结晶区。

7.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中所述半导体膜包含硅。

8.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中所述半导体膜是微晶膜。

9.根据权利要求1或3所述的半导体装置，还包括：

所述半导体膜之上的缓冲层；

所述缓冲层之上的沟道保护层；

所述缓冲层和所述沟道保护层之上的源区；和

所述缓冲层和所述沟道保护层之上的漏区。

10.一种半导体装置，包括：

第一栅电极；

与所述第一栅电极相邻的第一绝缘膜；

与所述第一栅电极重叠的第一半导体膜，所述第一绝缘膜夹在所述第一栅电极和所述第一半导体膜之间；

与所述第一半导体膜电连接的第一源电极；

与所述第一半导体膜电连接的第一漏电极；

第二栅电极；

与所述第二栅电极重叠的第二半导体膜，所述第一绝缘膜夹在所述第二栅电极和所述第二半导体膜之间；

与所述第二半导体膜电连接的第二源电极；

与所述第二半导体膜电连接的第二漏电极；

所述第一半导体膜、所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二半导体膜、所述第二源电极和所述第二漏电极之上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜之上的第一像素电极，所述第一像素电极电连接于所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个；

所述第二绝缘膜之上的第二像素电极，所述第二像素电极电连接于所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个；

所述第一像素电极和所述第二像素电极之上的液晶层；和

所述液晶层之上的着色膜，所述着色膜重叠于所述第一像素电极和所述第二像素电极。