[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210298858.1 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103178078B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 吴相宪;曹奎哲 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 罗正云,宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2011年12月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0140402的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本申请。
技术领域
实施例涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
近来,传统显示设备正被便携式薄平板显示设备所取代。在平板显示设备中,作为自发射显示设备的有机发光显示装置因为宽的视角、高的对比度和高的响应速度而被考虑作为下一代显示设备。
发明内容
根据一方面,提供一种有机发光显示装置,包括:基板;在所述基板上的第一电极;在所述第一电极上的中间层,所述中间层包括有机发光层;在所述中间层上的第二电极;在所述第二电极上的第一无机封装层,所述第一无机封装层限定第一凹槽;在由所述第一无机封装层限定的所述第一凹槽内的第一有机封装层,所述第一有机封装层不延伸到所述第一凹槽以外;以及在所述第一有机封装层上的第二无机封装层。所述中间层可以包括中间层突起。
所述第二电极可以与所述中间层突起间隔开,以便不覆盖所述中间层突起。所述第一无机封装层可以与所述中间层突起间隔开,以便不覆盖所述中间层突起。
所述有机发光显示装置可以多个子像素。多个所述中间层可以被设置为对应于所述多个子像素。所述中间层突起可以位于所述多个中间层中每个中间层的至少一个边缘上。
所述第一无机封装层可以包括与所述中间层突起对应的第一无机突起。所述第一无机突起可以设置在所述第一凹槽附近。
所述第一有机封装层可以与所述第一无机突起的最上面部分间隔开。所述第一有机封装层可以与所述中间层突起间隔开。所述中间层突起的至少一个部分可以接触所述第二无机封装层。
所述有机发光显示装置可以进一步包括设置在所述第一电极上,以便不覆盖所述第一电极的顶表面的一部分的像素限定膜。所述中间层突起可以被设置成对应于所述像素限定膜。
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层可以在所述第一无机封装层的至少一个部分上彼此接触。
所述第二无机封装层可以限定第二凹槽。所述有机发光显示装置可以进一步包括:第二有机封装层,被设置在所述第二无机封装层限定的所述第二凹槽内,以便不延伸到所述第二凹槽以外;和在所述第二有机封装层上的第三无机封装层。
所述第二无机封装层可以包括设置在所述第二凹槽附近的第二无机突起。所述第二有机封装层可以与所述第二无机突起的最上面部分间隔开。
所述第二有机封装层可以与所述中间层突起间隔开。所述第二无机封装层和所述第三无机封装层可以在所述第二无机封装层的至少一个部分上彼此接触。
所述有机发光显示装置可以进一步包括位于所述第三无机封装层上的至少一个附加的有机封装层和至少一个附加的无机封装层。
在所述第三无机封装层上形成的所述至少一个附加的有机封装层中最上面的有机封装层的顶表面可以是平坦的。
在所述第三无机封装层上形成的所述至少一个附加的无机封装层中最上面的无机封装层的顶表面可以是平坦的。
根据一个实施例,提供一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:在基板上形成第一电极;在所述第一电极上形成中间层,所述中间层包括在所述第一电极上的有机发光层;在所述中间层上形成第二电极;在所述第二电极上形成第一无机封装层,所述第一无机封装层限定第一凹槽;在由所述第一无机封装层限定的所述第一凹槽内形成第一有机封装层,使得所述第一有机封装层不延伸到所述第一凹槽以外;以及在所述第一有机封装层上形成第二无机封装层。所述中间层可以通过成像工艺形成。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例,以上和其它特征将变得更明显,附图中:
图1是图示根据实施例的有机发光显示装置的截面图;
图2是图示根据另一实施例的有机发光显示装置的截面图;
图3是图示根据另一实施例的有机发光显示装置的截面图;
图4是图示根据另一实施例的有机发光显示装置的截面图;以及
图5A到图5E是图示根据实施例的制造有机发光显示装置的方法的步骤的截面图。
具体实施方式
现在将参照示出本发明示例性实施例的附图更全面地描述实施例。
图1是图示根据实施例的有机发光显示装置100的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的