[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的外延方法

权利要求书

1.一种提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u-GaN层、n型 GaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p-GaN、接触层，其特征在于：在n型电流扩展层和n型空间层之间先通入具有表面处理作用的气体进行表面处理，然后再通过生长条件的控制将表面恢复平整，在n型电流扩展层与n型空间层之间形成表面处理层、n型表面恢复层。

2.如权利要求1所述的提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，其特征在于：表面处理的时间为10s～20min，处理温度700℃～1100℃。

3.如权利要求1或2所述的提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，其特征在于：具有表面处理作用的气体可以是SiH4、H2、CH4、NH3或CP2Mg。

4.如权利要求1或4所述的提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，其特征在于：n型表面恢复层；先生长10s～10min的成核层；然后生长约3～500?厚的掺Si的n GaN层。

5.如权利要求1所述的提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，其特征在于n型GaN空间层的厚度约1～100nm。