[发明专利]互补型金属氧化物半导体管的形成方法

权利要求书

1.一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻的第一区域和第二区域；

在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构，所述第一栅极结构的表面具有第一掩膜层；

在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构，所述第二栅极结构的表面具有第二掩膜层；

在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第一应力氧化层、以及位于所述第一应力氧化层表面的第一应力氮化层；

在形成第一应力氧化层和第一应力氮化层后，进行第一次热退火；

在第一次热退火后，去除第一应力氮化层；

在去除第一应力氮化层后，去除所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层，并暴露出第一掩膜层；

在暴露出第一掩膜层后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出第二栅极结构两侧的半导体衬底表面；

以所述第三掩膜层为掩膜，在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力层；

在形成应力层后，去除第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层。

2.如权利要求1所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述去除第一栅极结构顶部表面的第一应力氧化层的方法为：在去除第一应力氮化层后，在所述第一应力氧化层表面形成光刻胶层；回刻蚀所述光刻胶层，直至暴露出第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层；在回刻蚀后，以所述光刻胶层为掩膜，去除所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层；在去除所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层后，去除光刻胶层。

3.如权利要求2所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，以所述光刻胶层为掩膜，所述去除第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

4.如权利要求2所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述去除光刻胶层的工艺为采用灰化工艺和刻蚀工艺中的一种或两种组合使用。

5.如权利要求2所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，在形成光刻胶层之前，在所述第一应力氧化层表面形成抗反射层。

6.如权利要求1所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第一次热退火包括快速热退火、热炉退火或激光脉冲退火，所述第一次热退火的温度为600摄氏度-1200摄氏度。

7.如权利要求1所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第一应力氧化层的材料为氧化硅或氮氧化硅，所述第一应力氮化层的材料为氮化硅。

8.如权利要求1所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，还包括：在第一次热退火之前，去除第二区域的半导体衬底和第二栅极结构表面的第一应力氧化层和第一应力氮化层。

9.如权利要求1所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，还包括：在去除第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层后，在所述第一栅极结构两侧的半导体衬底表面形成第三侧墙，在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底表面形成第四侧墙；在所述第三侧墙两侧的半导体衬底内形成第一源/漏区；在所述第四侧墙两侧的半导体衬底内形成第二源/漏区；在形成第一源/漏区和第二源/漏区后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第二应力氧化层、以及位于所述第二应力氧化层表面的第二应力氮化层；在形成第二应力氧化层和第二应力氮化层后，进行第二次热退火；在第二次热退火后，去除第二应力氧化层和第二应力氮化层。

10.如权利要求9所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第一源/漏区为n型，所述第二源/漏区为p型。

11.如权利要求9所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第二应力氧化层的材料为氧化硅或氮氧化硅，所述第二应力氮化层的材料为氮化硅。

12.如权利要求9所述互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第二次热退火的温度为600摄氏度-1200摄氏度，所述第二次热退火包括快速热退火、热炉退火或激光脉冲退火。