[发明专利]一种在线检测接触孔的方法有效
| 申请号： | 201210299848.X | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102832152A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李健;杜哲;牟亮伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 在线 检测 接触 方法 | ||
1.一种在线检测接触孔的方法，所述方法包括：
进行自对准接触孔刻蚀；
确定晶圆检测区域，所述检测区域为可能出现接触孔形状异常缺陷的区域；
关键尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM）对所述检测区域中的接触孔俯视图像的内圈直径进行测量；
如果测量得到的内圈直径不在预设范围内，则CD-SEM提示存在接触孔形状异常缺陷。
2.如权利要求1所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，所述内圈直径为所述接触孔底部边缘轮廓的直径。
3.如权利要求1所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，所述测量得到的内圈直径不在预设范围内为所述内圈直径小于预设阈值。
4.如权利要求1所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，所述测量得到的内圈直径不在预设范围内为所述内圈直径小于下限阈值或大于上限阈值。
5.如权利要求1所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，所述检测区域为三面被多晶硅包围的区域。
6.如权利要求1所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，所述方法还包括在测量得到的内圈直径不在预设阈值范围内时，CD-SEM输出一个控制信号控制刻蚀设备停止进行自对准接触孔刻蚀。
7.如权利要求3所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，对于0.13微米闪存产品的自对准接触孔刻蚀工艺，所述预设阈值为60纳米。
8.如权利要求4所述的在线检测接触孔的方法，其特征在于，对于0.13微米闪存产品的自对准接触孔刻蚀工艺，所述上限阈值为180纳米，所述下限阈值为60纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
