[发明专利]固态摄像装置和电子设备无效
申请号: | 201210300897.0 | 申请日: | 2012-08-22 |
公开(公告)号: | CN102969323A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 守谷仁;石渡宏明;山下和芳;森裕之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态摄像装置,其包括:
第一光电转换元件,其具有形成于半导体基板内部的第一导电型第一半导体区域;
第二光电转换元件,其具有形成于所述半导体基板的比所述第一光电转换元件的位置深的第一导电型第二半导体区域;
栅电极,其层叠在所述半导体基板上,并且在电荷传输时施加有预定电压,其中,在所述电荷传输时读取与所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件所光电转换的电荷对应的信号;
浮动扩散区域,在所述电荷传输时间内,向所述浮动扩散区域传输所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件中累积的电荷;和
第一导电型第三半导体区域,其在所述半导体基板的深度方向上布置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间,并且在俯视观察时与所述栅电极重叠。
2.如权利要求1所述的固态摄像装置,其中,
所述第二半导体区域形成为具有比所述第三半导体区域低的杂质浓度。
3.如权利要求2所述的固态摄像装置,其中,
所述第一半导体区域形成为具有比所述第三半导体区域高的杂质浓度。
4.如权利要求1所述的固态摄像装置,其还包括:
第一导电型第四半导体区域,其形成在比所述浮动扩散区域更深的位置处,并且在与所述浮动扩散区域接触的同时比所述浮动扩散区域更向所述第一半导体区域的一侧突出。
5.如权利要求3所述的固态摄像装置,其中,
所述第四半导体区域形成为在俯视观察时与所述栅电极重叠。
6.如权利要求1所述的固态摄像装置,其中,
所述第一光电转换元件具有第二导电型第五半导体区域,所述第五半导体区域结合到所述第一半导体区域,
所述第二光电转换元件具有第二导电型第六半导体区域,所述第六半导体区域接合到所述第二半导体区域,并且
杂质浓度比所述第五半导体区域和所述第六半导体区域低的第二导电型第七半导体区域形成为与所述第二光电转换元件的所述第二半导体区域的下侧接触。
7.一种电子设备,其包括权利要求1-6中任一项所述的固态摄像装置。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的