[发明专利]氮化物半导体基板有效
| 申请号： | 201210300925.9 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102856455A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 吉田治正;高木康文;桑原正和 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.氮化物半导体基板，其特征在于，
具有：
GaN系半导体层，该GaN系半导体层在基底层上生长，沿厚度方向的截面基本上为三角形状，且所述GaN系半导体层呈周期性的条纹状，在该条纹的斜面上设置有凹凸面；以及
在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体基板，其特征在于，
所述凹凸面为基本上沿着所述条纹的斜面的倾斜度的斜面，且由多个小斜面形成，所述小斜面的垂线方向在水平截面上遍及多个方向。
3.氮化物半导体基板，其特征在于，
具有：
GaN系半导体层；以及
在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层，
所述GaN系半导体层具有多个突出的条纹，
在所述条纹的两侧面分别具有凹凸面。
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