[发明专利]电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法

权利要求书

1.一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其步骤如下：

1)首先在衬底上制备阳极、有机层和阴极结构的有机电子器件；

2)然后利用电子束蒸发技术在器件上制备金属氧化物或金属氮化物的钝化层薄膜，作为第一封装薄膜层；

3)最后利用原子层沉积技术在步骤2）的第一封装薄膜层上再制备一层金属氧化物或金属氮化物的钝化层薄膜，作为第二封装薄膜层，从而完成有机器件的封装。

2.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：步骤1）中所述的有机电子器件是有机电致发光器件、有机薄膜晶体管或有机太阳电池。

3.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：衬底为玻璃，其厚度为100um～1000um；衬底或为聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚醚酰亚胺，其厚度为20um～100um。

4.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：步骤2）或步骤3）中所述的金属氧化物为氧化硅、二氧化硅、三氧化二铝、氧化钛、氧化锆、氧化镁、氧化钽或二氧化铪；金属氮化物为氮化硅或氮化钛。

5.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：步骤2）中电子束蒸发制备第一封装薄膜层的沉积速率为所制备的第一封装薄膜层的厚度为10～1000nm。

6.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：步骤3）中原子层沉积制备第二封装薄膜层的沉积速率为所制备的第二封装薄膜层的厚度为1～300nm。

7.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：步骤2）中电子束蒸发的真空度为2×10^-3Pa～5×10^-6Pa，电子束束流强度为50mA～500mA，整个蒸镀过程衬底基片旋转，转速3～10圈/分钟。

8.如权利要求1所述的一种电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法，其特征在于：步骤3）中原子层沉积是将沉积完第一封装薄膜层的器件放入反应室内并加热至70℃～90℃，然后将金属氧化物或金属氮化物的前驱体材料在1×10^-1Pa～1×10^-3Pa压力下通入反应室，时间为0.2秒～5秒，使器件表面对金属氧化物或金属氮化物前驱体材料进行化学吸附；再将氮气或惰性气体通入反应室，以清除残余的前驱体材料；然后在1×10^-1Pa～1×10^-3Pa压力下，将水蒸汽通入反应室，时间为0.2秒～5秒，使器件表面吸附的金属氧化物或金属氮化物前驱体材料反应形成金属氧化物或金属氮化物的钝化薄膜层；将氮气通入反应室，以清除残余的水蒸汽；重复上述循环，使器件表面上覆盖的钝化薄膜层的厚度达到20～100nm，从而形成第二封装薄膜层。