[发明专利]封装方法和封装的半导体器件在审
| 申请号： | 201210300990.1 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103311138A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈孟泽;林威宏;蔡钰芃;林俊成;林志伟;郑明达;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 方法 半导体器件 | ||
1.一种封装方法，包括：
提供第一管芯；
部分封装所述第一管芯；
在部分封装的第一管芯的表面上形成多个焊球；
在所述多个焊球上方设置环氧助焊剂；
提供第二管芯；
部分封装所述第二管芯；以及
将所述多个焊球连接到部分封装的第二管芯。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述环氧助焊剂包括将所述多个焊球浸入所述环氧助焊剂中或者在所述多个焊球上喷洒所述环氧助焊剂。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述多个焊球连接到所述部分封装的第二管芯包括回流所述焊球的焊接材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个焊球包括多个第一焊球，所述方法还包括在将所述多个第一焊球连接到所述部分封装的第二管芯之前在所述部分封装的第二管芯的表面上形成多个第二焊球，以及将所述多个焊球连接到所述部分封装的第二管芯包括将所述多个第一焊球连接到所述多个第二焊球。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，设置所述环氧助焊剂包括设置包括填充物材料的环氧助焊剂。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述填充物材料用于增加所述环氧助焊剂的热导率。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述填充物材料包括SiO2或者氮化铝。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，部分封装所述第一管芯或者部分封装所述第二管芯包括将所述第一管芯或者所述第二管芯连接到衬底通孔(TSV)中介层，所述TSV中介层包括重新分布层(RDL)。
9.一种封装方法，包括：
提供第一管芯；
提供第一中介层，所述第一中介层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，所述第一中介层包括第一衬底，所述第一衬底具有形成于其中的多个第一衬底通孔(TSV)；
将所述第一管芯附接到所述第一中介层的第二表面；
将多个焊球连接到所述第一中介层的第一表面；
提供第二管芯；
提供第二中介层，所述第二中介层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，所述第二中介层包括第二衬底，所述第二衬底包括形成于其中的多个第二TSV；
将所述第二管芯附接到所述第二中介层的第二表面；
在所述第一中介层上的所述多个焊球上形成环氧助焊剂；以及
将所述第一中介层上的所述多个焊球附接到所述第二中介层的第二表面。
10.一种封装的半导体器件，包括：
第一管芯，连接到第一衬底；
第二管芯，连接到第二衬底；
多个焊点，连接在所述第一衬底与所述第二衬底之间；以及
环氧助焊剂，连接到所述多个焊点中的每个焊点。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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